VMOS場效應管(VMOSFET)簡稱Vmos管或功率場效應管,其全稱為V型槽MOS場效應管.它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件.它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥100M)、驅動電流小(0.1μA左右),還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優良特性.正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數可達數千倍)、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用.  
    眾所周知,傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動.VMOS管則不同,從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一,金屬柵極采用V型槽結構;第二,具有垂直導電性.由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重摻雜N+區(源極S)出發,經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區,最后垂直向下到達漏極D.電流方向如圖中箭頭所示,因為流通截面積增大,所以能通過大電流.由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管.

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