在做一個(gè)dc/dc的項(xiàng)目.用到了st的p55nf60的mosfet,55安培,60v的耐壓.導(dǎo)通電阻18毫歐.可是有兩中封裝,一種是金封的,一種是塑封的.本來(lái)想讓它散熱好一點(diǎn)的,想用金封的.可惜買錯(cuò)了,買了塑封的.但是有老工程師說(shuō),兩者的散熱雖然有差別但是塑封的還是有它的優(yōu)點(diǎn)得.我想是不是安規(guī)方面塑封得好一點(diǎn).其他優(yōu)點(diǎn)也想不到.
那位能講解一下.如果需要的話,可低價(jià)轉(zhuǎn)讓.好幾千個(gè)呢.
低壓大電流mosfet
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說(shuō)說(shuō)你的想法