去看半導體物理,搞清楚多子和少子,你就明白了.

我現在就是找不到那樣的資料呀?


您知不知道那個網站有這樣的資料呀?或手上有,肯求給一份.謝謝!

     祝您新年快樂,全家歡樂!

上傳一個三極管原理資料,希望對您有幫助.[url=/bbs/u/26/1107698201.pdf]

不行呀?
打不開呀!

實在不好意思啦!現重新上傳.1107783372.pdf

現在書店里到處都有電子書.到書店去買一本電子元器件,一看就懂.

回去從PN的結構學起.

謝謝,我會考慮的.

先給你拜年,祝你財源廣進,心想事成!
      再謝謝,我還是不懂,能不能用最通俗最普通的語言給我表達一下.

在這裡給大家拜年了,祝大家財源廣進!

去買一本電子入門的書就什么都知道了

我手上有呀,可是看了就是不太明白.

朋友您好!
    如果看書理解有困難,您不妨從觀察晶體三極管各極電流開始.所謂“放大”實質上是以較小的基極電流變化而引起較大的集電極電流變化,
集電極電流與基極電流的比值叫放大倍數或放大系數.(僅供參考)

經過您這麼一說,我是這樣理解電流放大的:因IE=IB+IC,慫公式可看出電流變大了,是否可以這樣理解?


        但是電壓是怎樣放大的呢?請接著賜教!謝謝!

朋友您好!
    IE=IB+IC是三極管的電流分配關系.
    至于放大電流怎樣轉換電壓,可以通過歐姆定律來實現即:
              I = U/R
    這里I是集電極電流,R是集電極電阻,U 就是輸出電壓了.(僅供參考)謝謝!

還是不明白.
   現在談的是三極管是怎樣放大電流和電壓的?請賜教!

集電極電流與基極電流的比值叫放大倍數或放大系數即:
     電流放大倍數 = 集電極電流 / 基極電流
     這就是以電流的角度來理解的放大原理.
     關于電壓放大問題,也是以晶體管電路的電流放大為基礎的.
     (僅供參考)謝謝!!!

先謝謝前輩了!
我再跟據您你給我的意見自己再思考思考!謝謝您了!

不用客氣,互相交流可以共同進步.另外我建議您多找幾本電子基礎方面的書看一看,當一個問題不懂時,可以在每本書中互相比較來理解一個問題.祝您成功!!!!!!!

再傳一本《模擬電子技術》希望對您有幫助.1108446828.exe

把我知道的說一下希望對你有幫助.

1、晶體管的放大作用可以從可以從電中性的觀點來理解.
當向半導體材料里注入截流子(少數截流子)的時候,載流子有一個平均的壽命t.這個壽命其實是就是截流子被復合之前存在的時間.
對于晶體管,因為其基區的寬度十分小,以至于大多數截流子還沒有被復合就穿過基區了,截流子穿過基區的時間叫做渡越時間t'.
所以以PNP晶體管為例,不是每一個流過基區的空穴都會與基區的電子復合,而是每t/t'個空穴流過時會有一個電子與空穴復合,這時需要從基極向基區補充一個電子以維持基區的電中性.
所以從基極輸入的電子的多少(基極電流)直接影響到基區和集電區的電壓從而改變了流過集電極PN結的電流(集電極電流)
而t/t'就是晶體管的基極電流放大倍數.


2、電阻因為有分布參數的原因,所以不同頻率下會表現出不同的阻抗.

3、電容兩邊的電壓突變意味著會出現一個無窮大的電流,這在現實中是不會出現的,理論上如果有一個沖擊電流(無窮大)的話會使電容的電壓突變.

謝謝!