空載燒MOS管
我設(shè)計(jì)一款12V/12a鉛酸充電器(開關(guān)電源式),空載時(shí)(輸入電壓大約為130V時(shí))MOS管就會(huì)燒壞(比率為10%),mos管為STP8N100z(只要重新?lián)Q一同類MOS管就好.曾用過(guò)9N90Z).我不知道是電路設(shè)計(jì)問(wèn)題還是MOS管質(zhì)量問(wèn)題?請(qǐng)高手指點(diǎn)
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@世界真奇妙
UC3843的最大占空比接近100%,輸入電壓低時(shí)占空比全部打開,變壓器幾乎無(wú)退磁復(fù)位時(shí)間,變壓器飽和,必?zé)齅OS管.解決辦法是換用UC3844,其最大占空比小于50%,變壓器就不會(huì)飽和了.UC3843的輸出頻率與振蕩頻率相等,UC3844的輸出頻率是振蕩頻率的一半,所以更換UC3844后需重新調(diào)整振蕩頻率
空載時(shí)占空比會(huì)到期100%?我有點(diǎn)不太明白,請(qǐng)指教.
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怎樣判定丟波,我用示波器看過(guò),但看不出什么.
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怎樣判定丟波,我用示波器看過(guò),但看不出什么.
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@lchqligong
空載時(shí)占空比會(huì)到期100%?我有點(diǎn)不太明白,請(qǐng)指教.回復(fù)第8貼:怎樣判定丟波,我用示波器看過(guò),但看不出什么.
你先換用UC3844試試,看看是否還燒MOS管.如果不再燒MOS管了,就可以確認(rèn)是占空比的問(wèn)題.
使用UC3843時(shí),不管供電電壓是多少,第一個(gè)周波肯定占空比遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)50%,變壓器就可能飽和,第二個(gè)周波時(shí)變壓器就肯定飽和,UC3843的3腳可檢測(cè)到過(guò)流信號(hào),由于R27,C15濾波時(shí)間過(guò)長(zhǎng),UC3843的關(guān)斷會(huì)滯后,MOS管會(huì)嚴(yán)重過(guò)流.如果供電電壓過(guò)低,輸出電壓永遠(yuǎn)達(dá)不到額定值,UC3843的輸出占空比就會(huì)大于50%,變壓器飽和,MOS管嚴(yán)重過(guò)流多次后就會(huì)燒.
使用UC3843時(shí),不管供電電壓是多少,第一個(gè)周波肯定占空比遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)50%,變壓器就可能飽和,第二個(gè)周波時(shí)變壓器就肯定飽和,UC3843的3腳可檢測(cè)到過(guò)流信號(hào),由于R27,C15濾波時(shí)間過(guò)長(zhǎng),UC3843的關(guān)斷會(huì)滯后,MOS管會(huì)嚴(yán)重過(guò)流.如果供電電壓過(guò)低,輸出電壓永遠(yuǎn)達(dá)不到額定值,UC3843的輸出占空比就會(huì)大于50%,變壓器飽和,MOS管嚴(yán)重過(guò)流多次后就會(huì)燒.
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@世界真奇妙
你先換用UC3844試試,看看是否還燒MOS管.如果不再燒MOS管了,就可以確認(rèn)是占空比的問(wèn)題.使用UC3843時(shí),不管供電電壓是多少,第一個(gè)周波肯定占空比遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)50%,變壓器就可能飽和,第二個(gè)周波時(shí)變壓器就肯定飽和,UC3843的3腳可檢測(cè)到過(guò)流信號(hào),由于R27,C15濾波時(shí)間過(guò)長(zhǎng),UC3843的關(guān)斷會(huì)滯后,MOS管會(huì)嚴(yán)重過(guò)流.如果供電電壓過(guò)低,輸出電壓永遠(yuǎn)達(dá)不到額定值,UC3843的輸出占空比就會(huì)大于50%,變壓器飽和,MOS管嚴(yán)重過(guò)流多次后就會(huì)燒.
謝謝你的指教.按照你的意思是:如果象你所說(shuō),應(yīng)該燒機(jī)的概率很高,但我燒機(jī)的比率只有10%.而且同一臺(tái)機(jī)更換MOS管以后工作又正常(不明之處在此).但在我調(diào)機(jī)時(shí)沒(méi)有燒過(guò)機(jī),只在生產(chǎn)時(shí)就燒機(jī)(在電壓為200V時(shí)也是同樣問(wèn)題),所以很難判定原因(我曾試過(guò)很多種方式).
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@lchqligong
謝謝你的指教.按照你的意思是:如果象你所說(shuō),應(yīng)該燒機(jī)的概率很高,但我燒機(jī)的比率只有10%.而且同一臺(tái)機(jī)更換MOS管以后工作又正常(不明之處在此).但在我調(diào)機(jī)時(shí)沒(méi)有燒過(guò)機(jī),只在生產(chǎn)時(shí)就燒機(jī)(在電壓為200V時(shí)也是同樣問(wèn)題),所以很難判定原因(我曾試過(guò)很多種方式).
我已經(jīng)在11帖中說(shuō)了,驗(yàn)證的辦法是換用UC3844試試.
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@lchqligong
謝謝你的指教.按照你的意思是:如果象你所說(shuō),應(yīng)該燒機(jī)的概率很高,但我燒機(jī)的比率只有10%.而且同一臺(tái)機(jī)更換MOS管以后工作又正常(不明之處在此).但在我調(diào)機(jī)時(shí)沒(méi)有燒過(guò)機(jī),只在生產(chǎn)時(shí)就燒機(jī)(在電壓為200V時(shí)也是同樣問(wèn)題),所以很難判定原因(我曾試過(guò)很多種方式).
燒機(jī)的概率不能說(shuō)明什么問(wèn)題,因?yàn)楫吘?843的3腳過(guò)流保護(hù)起作用,如果沒(méi)有3腳,啟動(dòng)時(shí)變壓器肯定飽和,恐怕100%會(huì)炸掉.如果使用3844,占空比永遠(yuǎn)小于50%,變壓器是不可能飽和的.
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@superpowersupply
另外,你不需要用到1000伏特耐壓的MOSFET管吧?用700V的足夠啦(我看你的反射電壓在月110左右).
實(shí)測(cè)試電壓大于800V.
用3845代替3843后,(也調(diào)整了頻率),變壓器匝比改為40:7后,當(dāng)AC電壓在220V左右時(shí)(例如在230V)MOS管電壓波型會(huì)抖動(dòng),(但只要稍稍調(diào)高電壓到233V時(shí),則波型正常.多次調(diào)節(jié)都無(wú)結(jié)果.
復(fù)位繞組多5匝,是為了降低MOS兩端的電壓.
用3845代替3843后,(也調(diào)整了頻率),變壓器匝比改為40:7后,當(dāng)AC電壓在220V左右時(shí)(例如在230V)MOS管電壓波型會(huì)抖動(dòng),(但只要稍稍調(diào)高電壓到233V時(shí),則波型正常.多次調(diào)節(jié)都無(wú)結(jié)果.
復(fù)位繞組多5匝,是為了降低MOS兩端的電壓.
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@lchqligong
實(shí)測(cè)試電壓大于800V.用3845代替3843后,(也調(diào)整了頻率),變壓器匝比改為40:7后,當(dāng)AC電壓在220V左右時(shí)(例如在230V)MOS管電壓波型會(huì)抖動(dòng),(但只要稍稍調(diào)高電壓到233V時(shí),則波型正常.多次調(diào)節(jié)都無(wú)結(jié)果.復(fù)位繞組多5匝,是為了降低MOS兩端的電壓.
你的初級(jí)有沒(méi)有用RDC緩沖SNUBBER啊?設(shè)計(jì)是否合理啊?要不怎么會(huì)有這么高的電壓呢?
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@lchqligong
沒(méi)有,如果加RCD電路,200K/2W電阻溫升很高,所以放棄了.請(qǐng)問(wèn)有何高見.
我覺(jué)得這應(yīng)該是問(wèn)題所在,RDC緩沖電路應(yīng)該是要的.如果設(shè)計(jì)合理的話(你用的200K電阻怎么會(huì)溫升很高呢?即使電阻兩端的電壓有效值為300V,電阻損耗也只有:300*300/200000=0.45W啊,怎么會(huì)溫升高呢?),可以大幅降低MOSFET尖峰電壓,這樣以來(lái)可以采用較低耐壓的MOSFET,損耗就下來(lái)啦,而且FCC好過(guò)些.
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@superpowersupply
我覺(jué)得這應(yīng)該是問(wèn)題所在,RDC緩沖電路應(yīng)該是要的.如果設(shè)計(jì)合理的話(你用的200K電阻怎么會(huì)溫升很高呢?即使電阻兩端的電壓有效值為300V,電阻損耗也只有:300*300/200000=0.45W啊,怎么會(huì)溫升高呢?),可以大幅降低MOSFET尖峰電壓,這樣以來(lái)可以采用較低耐壓的MOSFET,損耗就下來(lái)啦,而且FCC好過(guò)些.
還有就是你為啥要給磁芯磨氣隙呢,要磨也不要麼這么大的氣息啊.我感覺(jué)(不確定)加這么大氣息可能是最不合理的.
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@superpowersupply
我覺(jué)得這應(yīng)該是問(wèn)題所在,RDC緩沖電路應(yīng)該是要的.如果設(shè)計(jì)合理的話(你用的200K電阻怎么會(huì)溫升很高呢?即使電阻兩端的電壓有效值為300V,電阻損耗也只有:300*300/200000=0.45W啊,怎么會(huì)溫升高呢?),可以大幅降低MOSFET尖峰電壓,這樣以來(lái)可以采用較低耐壓的MOSFET,損耗就下來(lái)啦,而且FCC好過(guò)些.
我在MOS管DS端有加吸收電路,也就是說(shuō)尖峰電壓已經(jīng)很低(實(shí)測(cè)),而且MOS管燒壞時(shí)的電壓不高于600V(實(shí)測(cè)),因此時(shí)AC電壓只不過(guò)是130V左右(而且是空載燒),所以我想不是因?yàn)殡妷焊叨鵁龎?而是如上面他們所指的:應(yīng)該是占空比大,而磁路未正常復(fù)位.換IC后,新的問(wèn)題就是如上述所說(shuō)抖動(dòng)現(xiàn)象未解決.
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@lchqligong
我在MOS管DS端有加吸收電路,也就是說(shuō)尖峰電壓已經(jīng)很低(實(shí)測(cè)),而且MOS管燒壞時(shí)的電壓不高于600V(實(shí)測(cè)),因此時(shí)AC電壓只不過(guò)是130V左右(而且是空載燒),所以我想不是因?yàn)殡妷焊叨鵁龎?而是如上面他們所指的:應(yīng)該是占空比大,而磁路未正常復(fù)位.換IC后,新的問(wèn)題就是如上述所說(shuō)抖動(dòng)現(xiàn)象未解決.
MOSFET波形嚴(yán)重變形說(shuō)明系統(tǒng)工作不穩(wěn)定(有震蕩),正激電源有個(gè)最小負(fù)載問(wèn)題,不知你有沒(méi)有注意.你現(xiàn)在的波形抖動(dòng)還是同一個(gè)問(wèn)題啊,如果你改用3845,同時(shí)正確設(shè)置初級(jí)取樣電阻,肯定不會(huì)燒機(jī)了,要解決波形抖動(dòng)(空載還是負(fù)載啊?)可以考慮反饋電路,續(xù)流電感,最小負(fù)載等原因.
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@lchqligong
我在MOS管DS端有加吸收電路,也就是說(shuō)尖峰電壓已經(jīng)很低(實(shí)測(cè)),而且MOS管燒壞時(shí)的電壓不高于600V(實(shí)測(cè)),因此時(shí)AC電壓只不過(guò)是130V左右(而且是空載燒),所以我想不是因?yàn)殡妷焊叨鵁龎?而是如上面他們所指的:應(yīng)該是占空比大,而磁路未正常復(fù)位.換IC后,新的問(wèn)題就是如上述所說(shuō)抖動(dòng)現(xiàn)象未解決.
你的次級(jí)是6T,初級(jí)是45T,在130V時(shí)的占空比是:12/(160*6/45)=0.56!!
你的復(fù)位繞組是50T,所以的的占空比不能超過(guò):45/(45+50)=0.47
你說(shuō)你的設(shè)計(jì)能不有問(wèn)題嗎?把次極增加兩匝,這樣你MOS的電壓也低些.
你的復(fù)位繞組是50T,所以的的占空比不能超過(guò):45/(45+50)=0.47
你說(shuō)你的設(shè)計(jì)能不有問(wèn)題嗎?把次極增加兩匝,這樣你MOS的電壓也低些.
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@heibaihao
你的次級(jí)是6T,初級(jí)是45T,在130V時(shí)的占空比是:12/(160*6/45)=0.56!!你的復(fù)位繞組是50T,所以的的占空比不能超過(guò):45/(45+50)=0.47你說(shuō)你的設(shè)計(jì)能不有問(wèn)題嗎?把次極增加兩匝,這樣你MOS的電壓也低些.
接受你的觀點(diǎn).我測(cè)試它在200V時(shí)同樣會(huì)燒機(jī).
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有加750歐電阻作假負(fù)載.波型抖動(dòng)是在大負(fù)載,但如電流在10A以下就不會(huì)抖動(dòng).
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有加750歐電阻作假負(fù)載.波型抖動(dòng)是在大負(fù)載,但如電流在10A以下就不會(huì)抖動(dòng).
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