各位高手,請教個問題:
雙向可控硅的工作頻率范圍大概是多少?為什么呢?
雙向可控硅的工作頻率?
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1)IGBT使用的優點是:工作頻率高,達到20 KHZ.IGBT驅動信號是電壓信號,是自關斷器件,工作回路簡潔,運行可靠,無電磁噪音.但缺點是單只管子的電流不能做的很大,一般只有1000A.大電流需多只管子并聯使用.過電壓能力弱,耐壓不易做高,一般只有3300V.運行時,壓降高,損耗大.
2)可控硅(SCR)的優點是:單只管子的電流能做的很大,高達10000A.大電流不需 多只管子并聯使用.過電壓能力強,耐壓能做高,一般可達10000V.壓降低,導通損耗小.缺點是工作頻率低,(((工作頻率只有20-600HZ.)))驅動信號是電流信號,不是自關斷器件,需要外電路,電路復雜,可靠性低.
至于為什么低應該是材料構造和工藝的原因吧
2)可控硅(SCR)的優點是:單只管子的電流能做的很大,高達10000A.大電流不需 多只管子并聯使用.過電壓能力強,耐壓能做高,一般可達10000V.壓降低,導通損耗小.缺點是工作頻率低,(((工作頻率只有20-600HZ.)))驅動信號是電流信號,不是自關斷器件,需要外電路,電路復雜,可靠性低.
至于為什么低應該是材料構造和工藝的原因吧
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@0143033133
當然也要看應用場合.三相全橋整流電路象590直流驅動器就是50HZ,每個周期導通一次.
..可控硅又叫晶閘管,種類很多,工作頻率也各不相同,KP為普通可控硅,頻率一般工作在100Hz以下.KK為快速可控硅,工作頻率在4K以下;超過了4K,就要選用KA系列了,要不然正向損耗(Epf)和反向恢復損耗(Epr)隨之升高,通態電流須降額使用.
..可控硅可工作的最大頻率由其工作時的電流脈沖寬度tp,關斷時間tq以及從關斷后承受正壓開始至其再次開通的時間tV決定.fmax=1/(tq+tp+tV).根據工作頻率選取元件時必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq,并留有一定的余量.
..很少有關于晶閘管(可控硅)的貼子,感覺到大家對這個元件了解還不多,現在我發幾個有關晶閘管參數的意義,供大家參考:
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓
IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
也許熟悉的工程師感到這是浪費版面,但初學者或者對晶閘管了解較少的工程師,可以參考一下,希望對朋友們有所幫助.
..可控硅可工作的最大頻率由其工作時的電流脈沖寬度tp,關斷時間tq以及從關斷后承受正壓開始至其再次開通的時間tV決定.fmax=1/(tq+tp+tV).根據工作頻率選取元件時必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq,并留有一定的余量.
..很少有關于晶閘管(可控硅)的貼子,感覺到大家對這個元件了解還不多,現在我發幾個有關晶閘管參數的意義,供大家參考:
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓
IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
也許熟悉的工程師感到這是浪費版面,但初學者或者對晶閘管了解較少的工程師,可以參考一下,希望對朋友們有所幫助.
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@悠然
..可控硅又叫晶閘管,種類很多,工作頻率也各不相同,KP為普通可控硅,頻率一般工作在100Hz以下.KK為快速可控硅,工作頻率在4K以下;超過了4K,就要選用KA系列了,要不然正向損耗(Epf)和反向恢復損耗(Epr)隨之升高,通態電流須降額使用...可控硅可工作的最大頻率由其工作時的電流脈沖寬度tp,關斷時間tq以及從關斷后承受正壓開始至其再次開通的時間tV決定.fmax=1/(tq+tp+tV).根據工作頻率選取元件時必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq,并留有一定的余量...很少有關于晶閘管(可控硅)的貼子,感覺到大家對這個元件了解還不多,現在我發幾個有關晶閘管參數的意義,供大家參考:IT(AV)--通態平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流VTM--通態峰值電壓IGT--門極觸發電流VGT--門極觸發電壓IH--維持電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--通態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流也許熟悉的工程師感到這是浪費版面,但初學者或者對晶閘管了解較少的工程師,可以參考一下,希望對朋友們有所幫助.
一個高達300KHZ頻率的交流電,非正弦波,能否被雙向可控硅控制其導通,截止呢?導通速度是最高每秒鐘50次。
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