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首先我認為你的問題有點問題,為什么這樣說呢?
一:無論電壓源還是電流源他的輸出阻抗不是一個固定值,是隨著輸出負載的變化而變化,如果固定負載后,輸出阻抗久等于顯示的電壓/電流.
二:既然電流源的祖康隨著負載的變化而變化怎么能讓他和LCR電橋不能配合呢?
我想問的是你所說的直流源為30歐,是如何測量的?一個恒流源他沒有負載怎么你就知道直流源為30歐?他不是固定值!
歡迎繼續討論!我也是剛工作!呵呵

1.先講下電壓源:設電壓源開路電壓為U,內阻為r,接上阻值為R1的負載時端電壓為U1,流過R1的電流為I1則有I1=U/(R1+r),U1=I1R1;同理接上阻值為R2的負載時端電壓為U2,流過R2的電流為I2則有I2=U/(R2+r),U2=I2R2,通過計算可得出:r=(U2-U1)/(I1-I2).從這個公式可以看出,電壓源的內阻它反應了一種對不同的輸出電流端電壓的保持能力,理想的電壓源內阻為零而且不能短路,U=U1=U2.
2.關于電流源:設電流源短路電流為I,內阻為r,接上阻值為R1的負載時端電壓為U1,流過R1的電流為I1,流過內阻的電流為Ir1則有I=Ir1+I1,U1=r*Ir1=R1*I1同理接上阻值為R2的負載時端電壓為U2,流過R2的電流為I2,流過內阻的電流為Ir2則有I=Ir2+I2,U2=r*Ir2=R2*I2通過計算可得出r=(U2-U1)/(I1-I2).可以看出這個公式和電壓源的內阻公式一樣,不過它反應的是一種對不同的輸出電壓端電流的保持能力,理想的電流源內阻為無限大,而且不能開路I=I1=I2.
3.區別與聯系:電壓源的內阻和負載是串聯的,越小越好,電壓源的內阻和負載是并聯的,越大越好;理想的電壓源不能短路否則輸出電流會無限大,理想的電流源不能開路路否則輸出電壓會無限大.
4.理解了它們的基本原理,至于怎樣測量它們的內阻我想我就不用講了.

帶載等效原理圖:500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/60/700751198721319.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

老兄摟主現在的問題不是如何測量內阻啊

我相信樓主看了我的貼子,他的問題 他就知道就解決了.

眾所周知,鐵氧體磁芯在各種電子電路,例如轉換電路以及開關調節電路中得到了非常廣泛的應用.在很多電路中的器件通常是在有直流的狀態下工作.最典型的例子就是行輸出變壓器、平滑扼流圈以及枕校變壓器等.在有直流的狀態下工作的鐵氧體磁芯除了必須保持良好的電磁特性外,還必須具有很好的直流疊加特性.



為適應電子技術的需要,現代功率鐵氧體材料已經得到很大的發展.一般說來,功率鐵氧體材料主要分為兩大類:一類用于高頻開關電源,另一類用于高清晰度彩電和顯示器.主要用于高頻開關電源的功率鐵氧體材料有兩大發展趨勢,一是向超低功耗方向發展,目前這些材料已經系列化,典型代表如日本TDK公司的PC40、PC44、PC45、PC46、PC47.其中,PC45和PC46這兩種材料主要是針對特殊電路的需要而開發的超低功耗MnZn鐵氧體材料(功耗最低點溫度有所差異);而PC40、PC44、PC47功耗差別很大,在f=100kHz,Bm=200mT,T=100℃條件下,三者功耗分別為410mW/cm3、300mW/cm3和200mW/cm3.二是向高頻化方向發展,如日本TDK公司PC50材料可用至1MHz,荷蘭Philips公司的3F4材料可用至3MHz(這種材料適用于諧振式電源變壓器).當f>3MHz時,則通常采用NiZn材料,如Philips公司的4F1材料,可使用至10MHz.作者以前曾對世界各著名鐵氧體公司的超低功耗以及高頻低功耗功率鐵氧體材料作過詳細介紹[1],在此不再重復.



高清晰度彩電以及高分辨率顯示器用功率鐵氧體材料的優點是:(1)飽和磁通密度高(Bs≥500mT);(2)寬頻低功耗,對于這類材料目前使用頻率一般不超過100kHz,但要求16kHz~100kHz范圍內功耗都比較低;(3)直流疊加特性優良,這是這類材料最突出的優點,以日本TDK公司的HV22、HV38、HV40、HV45為典型代表,但在日本TDK公司1999年產品目錄上只保留兩種材料即HV22和HV45[2].目前,國內已有少數幾個工廠能夠批量生產相當于TDK HV22、HV38的產品,而對于HV40、HV45的產品,國內還沒有哪個廠家能夠穩定生產.因此,必須盡快研制開發,這是國內軟磁行業所面臨的迫切任務.



2  直流疊加特性描述

描述軟磁材料動態特性的參量很多,如復數磁導率、品質因數、損耗特性、減落等[3].對于工作在直流偏磁化場的狀態而言,直流疊加特性也是軟磁材料的重要性能參數,也是軟磁材料的動態特性之一.交直流磁場的疊加一般分為兩種方式,一種是交流場與直流偏磁化場垂直,另一種是交流場與偏磁化場平行.實際上,使用較多的是平行疊加方式.



軟磁鐵氧體材料的性能往往會由于疊加直流磁化場而發生顯著的變化,最明顯的就是磁導率的變化.在有偏磁場存在的情況下,材料的磁導率稱為“可逆磁導率μrev”,V.W.kampcgyk等人對MnZn鐵氧體的研究結果表明,可逆磁導率并非單純只與磁場強度有關,而且還與其磁化歷史有關.當直流磁場H-沿磁滯回線變化時,可逆磁導率呈典型的蝶形曲線[4],如圖1所示.












實踐證明,磁導率隨直流偏磁化場的增大而降低,下降的陡峭程度取決于磁滯回線的形狀,也就是說完全取決于材料的成分、制造工藝以及磁芯之間的氣隙大小.通常在開關調節電路中,希望由于出現不可避免的直流偏磁化場而使磁導率下降的幅度變小;而在磁控可變電感器中,則希望改變直流偏磁場時,能使磁導率靈敏地變化.



S.Wada等[5]曾經研究了直流疊加對電工鐵(硅鋼片)功耗、磁致伸縮及噪音的影響.指出,當磁通密度較低時,功耗將隨著直流磁場的增大而增大;而當磁通密度較高時,功耗幾乎不隨直流磁場而變.其解釋是:在低磁通密度條件下,硅鋼片渦流損耗可近似表達為






Pe=1/2π3/2f3/2B2σ1/2μ-1/2a






式中,σ為電導率;μ為磁導率;a為硅鋼片厚度;f為頻率;B為磁通密度.由于鐵芯的磁導率將隨著直流場的增大而下降,由上式不難看出,Pe將上升.但在較高的磁通密度條件下,鐵芯內部的磁通密度的變化將與薄片表面的相同,此時渦流損耗將與磁導率無關.



另一個值得注意的現象是:由于直流疊加,電工鐵在交流磁場下的磁致伸縮出現不對稱,從而使噪聲變大.圖2顯示了不同直流偏磁場條件下,鐵芯的噪音隨電壓的變化.圖3則是磁致伸縮蝶形曲線隨直流偏磁場的變化.


















M.Murasato等提出用在直流偏磁場磁化場狀態下工作的磁芯溫升來評價鐵氧體磁芯的性能,這樣更接近于磁芯的真實工作狀態.圖4a為通常情況下,測量磁芯功耗時的電壓、電流波形;圖4b為疊加直流后的鋸齒波形,這是磁芯的實際使用狀態[6].


















Murasato的研究結果是:隨著直流偏磁場的增強,磁芯的溫升幾乎呈線性上升,如圖5.對于在通常情況下測量的功耗最低的磁芯,在疊加直流后,其溫升卻不是最低,如圖6.












3  直流疊加特性測量原理

為簡化測量裝置,在測試磁芯電感直流疊加特性時,可采用圖7a所示的測量原理.這一原理比較簡單,但嚴格說來,測量線圈產生的交變磁場將會在偏磁化線圈中感應出交變電壓,而一般情況下,偏磁化線圈匝數要大大高于測量線圈,因此,感應出的交變電壓還是挺高的,好在直流磁化源內阻可以看成是非常大,感應電流可以忽略不計.















嚴格的測量,特別是直流偏磁場下功耗的測量應采用圖7b所示的測量原理.磁芯1和磁芯2由同種材料制成且尺寸相同,這兩個磁芯上的偏磁化線圈繞制方向相反,即串聯反接,這樣在這兩線圈中的感生電動勢方向相反而自動抵消.在該測量方法中,功耗儀顯示功耗為兩磁芯功耗之和.












如果僅僅需要了解磁芯電感的直流疊加特性,可以采用圖7c所示的更簡化的測量原理圖.












在測量不同直流偏磁場下的磁芯可逆磁導率以及功耗時,為防止直流線圈長時間通電過熱,每測完一點必須切斷電源,同時為消除磁滯(圖1)引起的μrev差異,必須通過測量線圈加入交變磁場,并逐漸減小到0(消磁).本研究中,測試磁環電感直流疊加特性時,采用圖7a原理,電感測量儀采用HP4274A LCR表,而直流偏磁條件下功耗特性的測量則采用圖7b原理(環狀磁芯直流磁化線圈50匝,交流測量線圈20匝).



4    MnZn鐵氧體材料及磁芯直流疊加特性

4.1  磁芯電感直流疊加特性

關于帶有氣隙的鐵氧體磁芯(如U形磁芯)的電感直流疊加特性,作者以前已作過研究[7].指出,要改善磁芯的直流疊加特性,主要可通過以下兩個途徑:一是通過調節磁芯的空氣隙厚度來實現,當然,這必須借助于Hanna曲線來確定磁芯的最佳氣隙和繞組匝數.二是通過改變材料配方或是調整燒結工藝來實現.但是燒結工藝的改變必須以不惡化磁芯其它電磁性能為原則.作者認為第二種方法應當更為有效,這是由于加大空氣隙厚度,往往導致磁芯漏磁增大,無疑是不利的.



4.2   直流疊加條件下,材料的電感及品質因數的頻率特性

圖8為在直流磁化場102A/m,環境溫度t=8℃條件下,環狀磁芯電感L、品質因數Q值隨測試頻率的變化(測量線圈20匝,直流磁化線圈50匝,測試電流0.2mA).不難看出,在300Hz~40kHz范圍內,電感呈上升趨勢;而Q值在f=10kHz時達最大值,當f<300Hz或f>50kHz時,Q值趨于0.值得注意的是,疊加直流對Q值曲線的形狀、峰值大小及其位置有顯著的影響,未疊加直流時,磁芯Q值峰值位置在f=50kHz,其大小為180,在f=10kHz和100kHz時,Q值分別為90和140.












必須指出的是,在直流偏磁化場為102A/m時,當f≥100kHz,L變為負值,而當f=100Hz或50kHz時,L值出現如圖9所示的振蕩現象.我們知道材料的磁化率主要來自于兩方面的貢獻,即轉動磁化率和疇壁位移磁化率,材料的電感L出現振蕩,說明以上某一方面或兩方面都存在某種振蕩效應.根據鐵磁學理論[8],軟磁材料的磁化曲線分為初始磁化、不可逆磁化、可逆轉動、趨近飽和等四個階段.因此,直流偏磁場的大小以及磁芯的技術磁化過程對電感的振蕩效應可能有直接的影響.












4.3   直流疊加條件下材料的功耗特性

對于環狀磁芯在直流疊加條件下的功耗特性,作者以前已作過研究[9].與傳統的材料相比,新開發的材料,在直流偏場H=10A/m處獲得最低功耗,此后隨直流偏場的增加而線性增加.眾所周知,在f<300kHz時,MnZn鐵氧體磁芯損耗主要來自兩個方面,一是磁滯損耗,二是渦流損耗.磁芯在H=10A/m處獲得最低的功耗,說明此時磁滯損耗變小(即磁滯回線面積變小);或者是渦流損耗變小,這可能要借助于微磁學理論才能解釋;或者兩者兼而有之.



值得指出的是,我們所采用的磁環在沒有直流疊加時(偏磁化線路斷路),其功耗很低[9].但采用圖7b所示的原理測量后,盡管調節直流磁化源電流輸出為0,但磁芯功耗明顯增大.這可能是兩磁環的直流磁化線圈中感應的交流電壓未完全抵消,從而在與直流磁化源構成的回路中產生感生電流,消耗部分功率;或者是直流源顯示靈敏度不夠造成的,有關這方面還需作深入研究.






4.4  直流疊加條件下磁芯的噪音

在測試過程中我們發現,當采用圖7a所示測量原理,將直流源輸出調至0.5A(即磁化場為320A/m)時,若將測量端的電壓調至6.5V(f=16kHz),則直流源電流顯示消失,磁芯發出尖銳的噪聲,功耗顯示達500mW/g,僅幾秒鐘,磁芯即發熱;而如果直流線路斷路,在測量端加入電壓6.5V(16kHz)則聽不到噪聲.



磁芯噪聲一般認為是由磁致伸縮引起的.疊加直流后,由于直流偏磁場在一個信號周期內,磁芯內部正向磁場強度與反向磁場強度相差2倍的偏磁場,從而使磁致伸縮出現嚴重的不對稱,并且這種不對稱將隨著偏磁場的增大而愈為嚴重.



當我們采用圖7b所示的測量原理時,直流偏磁場只能加到64A/m,若再增加則功耗儀阻抗無法匹配,沒有電壓輸出,由于直流偏磁場較小,沒有聽到噪聲.



5  結論

(1)直流疊加條件下,電感對頻率存在明顯的依賴性,在一定范圍內隨頻率的升高而增大,品質因數Q值峰值大幅度下降,峰值位置向低頻方向移動.



(2)直流疊加條件下,在較低頻率(f=300Hz)和較高頻率(f=50kHz)時,電感隨時間的變化呈明顯的振蕩效應,有待深入研究.



(3)不同材料的功耗隨著偏磁場的變化情況呈現不同的特性,新開發的材料除了整體功耗大幅度下降外,還具有功耗最低點,這對使用無疑是十分有利的.



(4)較大的偏磁場容易使材料的磁致伸縮出現嚴重的不對稱,從而產生噪聲.

恩 我相信樓主也似乎明白了.可是我還是糊涂了. \
前兩天看信號放大時接觸一點輸入阻抗和輸出阻抗的概念.
但是我不知道這電壓源和這電流源是不是要用輸出阻抗的概念,所以對樓主的問題也是模糊狀態.
望高人您直接點撥一下關于電壓源和電流源輸入主抗和輸出阻抗的概念吧

看看高中物理課本關于全電路歐母定律,就明白了.