象是共膜噪聲,不知你的變壓器加屏蔽層沒(méi)有

加屏蔽了.

我和你做過(guò)一樣的試驗(yàn),結(jié)果也一樣,其實(shí)調(diào)準(zhǔn)到一個(gè)合適的值就差不多了,還有就是你測(cè)量用的示波器探頭,你把探頭地線弄到最短再測(cè)試你會(huì)發(fā)現(xiàn)基本上沒(méi)有尖刺,再者就是你把示波器探頭地和正短接以后形成一個(gè)環(huán)狀,放到你的變壓器附近,你會(huì)發(fā)現(xiàn)你測(cè)量的尖刺在這種情況下都有,所以你測(cè)到的尖刺并不是實(shí)際的尖刺,還有就是加了電容尖刺變小是MOSFET開(kāi)關(guān)的時(shí)候尖峰確實(shí)變小了,但是不加電阻的話(huà),能量都消耗在MOSFET的內(nèi)部電阻上,電阻加大了消耗的能量有限,尖刺肯定會(huì)大出來(lái),其實(shí)最好取一個(gè)比較適合的值,用合適的探頭測(cè)出比較接近實(shí)際的尖刺,滿(mǎn)足你的要求就可以了,暫時(shí)我只知道這點(diǎn),但是我看到有的電源(現(xiàn)成買(mǎi)來(lái)的)做的比較好,好象基本上沒(méi)有什么尖刺,即使探頭地線長(zhǎng)點(diǎn)也是那樣,可能人家的RCD鉗位,以及變壓器都做的比較合理.學(xué)習(xí)中~~~

輸出二極管用的是快恢復(fù)嗎,反向恢復(fù)時(shí)間多少ns

加大buck電容容量和LC就可以了.你加D到地的電容會(huì)增加很多功耗的. 這個(gè)方法不可取.

是的,加到MOS的D端對(duì)地的電容增加很多功耗的,
你說(shuō)加大buck電容容量,指的是輸入的大電容嗎?去試一下.
LC你指的是輸出的LC的π濾波嗎?
但是加大LC這個(gè)好象沒(méi)什么效果哦.其實(shí)真正的實(shí)際紋波是很小的.
關(guān)鍵是紋波的下降沿的部分尖峰很厲害.而且是隨機(jī)的.頭疼.
希望這位大俠在給點(diǎn)經(jīng)驗(yàn).謝謝

因?yàn)槲易龅倪@個(gè)電源是有9路輸出的.但是這個(gè)合適的值也不還調(diào),
看波形也是偶爾會(huì)有很大的尖鋒都沒(méi)辦法估計(jì)的.謝謝給這么多寶貴的意見(jiàn).希望在給點(diǎn)建議,

輸出管用的快恢復(fù)的SF52.Trr=35ns.
希望給點(diǎn)意見(jiàn).

加大Y電容的值,用2KV103試試,適當(dāng)加大RCD嵌位吸收電容的值,適當(dāng)增大R的功率.另外你用的是什么樣的示波器?模擬示波器的話(huà),檢查附近有沒(méi)有人使用手機(jī)充電器.我以前遇到過(guò)次類(lèi)問(wèn)題,早上測(cè)試效果很好,下午忽然尖刺特別大,把我弄神經(jīng)了,最后查來(lái)查去原來(lái)是手機(jī)充電器若的禍!祝你成功!如果調(diào)好了別忘了通知大家,把你的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)給大家分享!

正在努力中.一定會(huì)把結(jié)果與大家分享,如果在場(chǎng)的高手有好的建議,愿意吸取
謝謝!

在吸收電容串1個(gè)1W56-68R的電阻即可!

如果每次測(cè)試不規(guī)律,應(yīng)當(dāng)是你的探頭屏蔽層損壞,造成輻射干擾,換個(gè)新的探頭,最短距離測(cè)試,就好了.我也遇過(guò)同樣問(wèn)題,換了新探頭才5mV紋波哈哈.