理解很生澀難懂的自舉電路?

我在本站上也查到了關于自舉電路的說明,可是花時間了,就是理解不透!特別是RC的作用,它是怎樣解決"T1的基流將受限制而不能增加很多"的?這是在文章中提到的.總之,就是文章上解釋的太理論化了,我相信咱們的老資格的工程師們肯定有自己淺顯易懂的說法!請給個說法吧! 286011192609541.doc

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ruohan

LV.9

2007-10-17 18:49

就是根據電容兩端的電壓不能突變,自舉電容的兩端電壓相對來說是輸入VCC,這樣,D點電壓就等于隨著輸出加上自舉電容兩端的電壓,

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lix110

LV.3

2007-10-21 10:48

@ruohan

就是根據電容兩端的電壓不能突變,自舉電容的兩端電壓相對來說是輸入VCC,這樣,D點電壓就等于隨著輸出加上自舉電容兩端的電壓,

是不是就可簡單理解為:這個自居電容就是為了提高D點電位,使輸出有足夠的能量呢?

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on_the_way_li

LV.9

2010-09-07 20:39

@lix110

是不是就可簡單理解為:這個自居電容就是為了提高D點電位,使輸出有足夠的能量呢?

我理解是提高高端MOSFET相對于其S極的電位，要不然高端MOSFET不宜導通。

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jyh1017

LV.4

2010-09-07 20:52

所謂自舉就是自己把自己的電位提高，如何提高？以半橋為列，當下橋臂導通時，VS電位下降，那么和VS端相連的電容電位就相應上升，這就是自舉

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sxjnice

LV.8

2010-09-08 08:30

@jyh1017

所謂自舉就是自己把自己的電位提高，如何提高？以半橋為列，當下橋臂導通時，VS電位下降，那么和VS端相連的電容電位就相應上升，這就是自舉

LS的兄弟這個說法貌似反了吧，如果以半橋為例的話，當下橋導通時，電容處于充電狀態，當下橋關閉時，利用了下橋D上的點位加電容充電的電位使得此時刻電容上的電位有原來的VC變成VC+VD（下橋）實現了電位的抬升，因此稱之為自舉，即利用自身電路的變化實現自舉電容電位的抬升，目的是這樣可以更好的驅動上管，否則可能會發生驅動能力不足，上管無法turn on的現象

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sxjnice

LV.8

2010-09-08 08:42

LZ,按照你給的這個電路（應該是模電書上出現的自舉電路）來說，所謂的自舉過程如下，當T2導通時，則VCC,R3,C3,T2形成一充電回路，對C3進行充電，當T2截止時，則T1處于不完全導通狀態，此時Vk的電位有原來的0V被抬高到了VCC-VCE1(這邊你沒有問題吧？)，而C3本身充電的點位VC3此時就會因VK電位的升高而升高，變成了VC3+VCC-VCE1,這樣做的目的就是使得ib1有更大的基極電流，從而使得T1進入深度飽和狀態，進而實現VK的點位和VCC的電位基本相等，提高了輸出電位有原來不足VCC/2變成了VCC/2，這樣子說你明白嗎？

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