一個(gè)防止電源倒灌的電路(求助)

各位前輩,大家好.
好久沒來電源網(wǎng)了,來了就是求助的,汗顏.
這幾天應(yīng)客戶的要求,設(shè)計(jì)一個(gè)簡單的防止電源倒灌的線路,理論上講應(yīng)該沒有問題,可測試偏偏不能達(dá)到要求,特此向各位前輩請教.

電路是是使用一個(gè)MOSFET和一個(gè)NPN管子,要達(dá)到的目的是:
(1)電源當(dāng)VBUS(+5V)存在時(shí),+5V的net上要有+5V的電壓.
(2)當(dāng)+5V net上加+5V電壓時(shí),VBUS上不能有電壓.

測試的結(jié)果是,第(1)點(diǎn)沒有問題,可第(2)點(diǎn)測試的結(jié)果VBUS上總是有+5V電壓存在.真的搞不清楚原因了.希望各位前輩能不吝賜教.這個(gè)線路存在什么問題,正確的線路應(yīng)該是怎樣的.

全部回復(fù)(25)

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power東

LV.4

2007-09-21 08:13

在Bus上直接接個(gè)二極管不就可以防止倒灌了嗎??為什么一定要加個(gè)Mosfet,至于你說的問題我認(rèn)為可能是Mosfet內(nèi)部結(jié)構(gòu)的問題.

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hepeter

LV.5

2007-09-21 08:29

基本同意二樓的意見,你MOSFET內(nèi)部的結(jié)構(gòu)二極管是不是畫反了.

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汗舞達(dá)帝

LV.3

2007-09-21 09:01

@hepeter

基本同意二樓的意見,你MOSFET內(nèi)部的結(jié)構(gòu)二極管是不是畫反了.

我等大家回復(fù)!

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阿浩

LV.4

2007-09-21 09:10

@power東

在Bus上直接接個(gè)二極管不就可以防止倒灌了嗎??為什么一定要加個(gè)Mosfet,至于你說的問題我認(rèn)為可能是Mosfet內(nèi)部結(jié)構(gòu)的問題.

同意, 電流不大的場合, 直接加個(gè) VF 值小點(diǎn)的二極管就可以了.

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power東

LV.4

2007-09-21 12:11

@汗舞達(dá)帝

我等大家回復(fù)!

剛才沒仔細(xì)看,他畫的Mosfet 的Body Diode確實(shí)是個(gè)反滴.這就不難解釋他的問題了.

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賈龍

LV.3

2007-09-22 06:45

@power東

剛才沒仔細(xì)看,他畫的Mosfet的BodyDiode確實(shí)是個(gè)反滴.這就不難解釋他的問題了.

BODY Diode沒有反了.我這個(gè)是P Channel.(如果沒有那個(gè)body diode或body diode反過來就不會有這個(gè)問題了)
二極管就是壓降太大,怎么說也要0.3V吧,這個(gè)在我的電路里面是不能允許的.
大家再集思廣義一下,看有沒有好一點(diǎn)的電路給小弟推薦一個(gè).謝了!

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yxdz

LV.7

2007-09-22 08:05

@賈龍

BODYDiode沒有反了.我這個(gè)是PChannel.(如果沒有那個(gè)bodydiode或bodydiode反過來就不會有這個(gè)問題了)二極管就是壓降太大,怎么說也要0.3V吧,這個(gè)在我的電路里面是不能允許的.大家再集思廣義一下,看有沒有好一點(diǎn)的電路給小弟推薦一個(gè).謝了!

那你的這種管子的壓降是多少呢

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豬在天上飛

LV.3

2007-09-22 09:09

@yxdz

那你的這種管子的壓降是多少呢

一些芯片廠商有針對ORing FET的芯片如TI的TPS2412,用的是NMOS,芯片控制能將反向電流限制在可以接受的范圍內(nèi).貴呀.

這種小信號的管子寄生差數(shù)很容易被忽略而引起其他問題.

電流也不大不如用個(gè)削特基?

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hepeter

LV.5

2007-09-22 15:38

@賈龍

BODYDiode沒有反了.我這個(gè)是PChannel.(如果沒有那個(gè)bodydiode或bodydiode反過來就不會有這個(gè)問題了)二極管就是壓降太大,怎么說也要0.3V吧,這個(gè)在我的電路里面是不能允許的.大家再集思廣義一下,看有沒有好一點(diǎn)的電路給小弟推薦一個(gè).謝了!

在R2上串一個(gè)二極管試試,或用繼電器來實(shí)現(xiàn),能接受嗎?

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