難道沒人遇見過嗎?

ding!!!!!

將電路和變壓器資料立即貼上來,咱們幫你看看!
S.M.XIAO
2005 01 04 21: 12

插腳離變壓器近了會不會有磁耦合?因為插腳機構是可動式(類似摩托羅拉充電器)彈片是鐵材的,請高手們踴躍發言!!!!!

不影響EMI!

外殼材料的問題,

把PCB和線路圖貼一來.不難弄.

插腳近了會影響EMI,有時是嚴重的影響.不是磁耦合,是電場耦合

我也有碰到這樣EMI怪事,同一個電源在三家實驗室測出來的結果相差10多個DB,搞的我現在都不知道是我的錯呢,還是實驗室的錯.

試著上下,左右,前后調整一下電源在外殼中的位置,或許能解決問題.

謝謝各位大俠的頂力相助!不知將彈片換成銅材的會不會好轉?
我現在已叫測試公司把外殼打開讓PCB離插頭遠點在測看看.有結果再告訴大家.

兄弟,是否遇到過這樣的問題?

在PCB板下面放一個薄的單面PCB板,引線到初級地線.

正常,不同實驗室的理論最大差別是17dB.

由于上下距離太近,是不是要再加一層絕緣材料?
還有,不知將彈片換成銅的行不行?

果然是這個原因,不知有什么簡單的方法解決?

電場耦合,換成銅的沒有作用.距離近了當然要加絕緣.

兄弟,我說的是傳導,不是幅射.一般來說傳導在不同的實驗室只會相差2個DB而已.

我說的是傳導啊!

我也有過這樣的問題:不過我的電源無法在CASE中活動,我只好在電源上接了一塊銅箔然後接初級的地,將L,N隔離.

謝謝!會影響安規嗎?

光銅箔的話會,你可以試試有一種銅箔上加了一層絕緣片的那種.

我知道是傳導,不是我說的,是在一個資料上看的,這個資料是香港一個大學的EMI專家寫的,很多大的電源廠都請他去做過演講.當然,上面已經說了是理論值,一般不會有這么大的.

我知道你說的是傳導,傳導的一個途徑就是電場耦合,雖然較少遇到,但很不幸,叫你遇到了.具體的說,就是MOS漏級及其相連PCB銅薄和變壓器對插腳形成電容,把傳導干擾直接送過去,這時你改X電容,共模電感都沒有.就向我上面說的方法,加單面PCB板,或小銅片也一樣,下面已經有人說它用過這個方法是可以的.
  還有一個方法,降低初次級變比,當然以初級多發點熱為代價.

改變匝比,就改變了D所以就改變了源的頻普分布,效果不一定好,對于手機充電器,它主要是電場,所以用銅片接地效果好

加大點前濾波電感量

謝謝!那豈不是上下都要加絕緣片?

已試過,無效!

你在mosfet的上方接一塊銅箔,注意銅箔折的方向與幵關管的散熱片成90度,銅箔可與散熱片相連.銅箔的折方向能延伸到變壓器為好

因為是電場耦合所以改變這些意義不大,如果是磁場耦合,就有意義