用IR215*做大功率節能燈燈出現炸IR840等場效應的原因:該產品本身開發于91年,是專為EB開發的,EB的環境使用溫度50度到頂了.該產品采用低壓PN結隔離工藝,稍懂半導體的人都知道,PN結的反向漏電從室溫升至105度,漏電會增加100倍,driver IC 里有高壓600V LDMOS電平位移器件,采用低摻雜高阻襯底,耗盡層會很寬,漏電效果更甚.所以出現的死機,炸mos管等可靠性問題一大堆.
如果真的該iC那么好使.大量的玩磁環,1300三極管,DB3的應用工程師,以及華微,深愛,華晶都得轉行了.
Harris 工程師揭秘:不能用IR driver IC做節能燈道理!!!看后敬請談感想!
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@風雪夜歸人
大功率節能燈就其電路來看就30個零件,但覺難做復雜,大W的更難,canyoutellme有沒有newidea啊!donotlaughatme!自己先頂!
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