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請教MOSFET管的導通電阻問題

請教MOSFET管的導通電阻問題
最近做了一個電路,把1.2V鎳氫電池的電源升高到4.5V左右,驅動多個大功率紅外線發光二極管,結構是最普通的開關-電感升壓結構,電池最大電流約為2A,電池為2000mAH,驅動源為MCU的PWM輸出.MCU的供電另由一個成品的微型升壓板提供.當前手頭上只有400V的IRF840,只好用它.調試時發現,IRF840的導通電阻似乎遠高于其標定參數,根據我用普通數字表測量Vds和電流,折合電阻在好幾歐姆以上,輸出的電壓和功率都難以滿足要求.更換了幾個開關管都如此.請問是何原因?選用何種開關管比較合適?
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2003-11-03 15:29
RE
MOS的導通電阻和它的G極驅動電壓、DS的電流、結溫等有關.具體的測試條件可以看DATASHEET.
至于你選什么樣的MOS,要看你對功率的要求.耐壓只要幾十伏就夠了.耐壓低的MOS,一般RDS(on)也小,有的只有幾個毫歐.
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mudfish
LV.1
3
2003-11-03 17:49
@乞力馬扎羅的雪
REMOS的導通電阻和它的G極驅動電壓、DS的電流、結溫等有關.具體的測試條件可以看DATASHEET.至于你選什么樣的MOS,要看你對功率的要求.耐壓只要幾十伏就夠了.耐壓低的MOS,一般RDS(on)也小,有的只有幾個毫歐.
IRF840的Rds
您的回復很迅速,謝謝!
去IAR的網站查詢了一下,IRF840的Rds是0.85歐姆,我記錯了,以為是0.085歐姆.不過與我的測量結果仍是差距很大,也許是Vds太低的緣故吧.歡迎大家繼續指點.
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hereliu
LV.8
4
2003-11-03 19:12
@mudfish
IRF840的Rds您的回復很迅速,謝謝!去IAR的網站查詢了一下,IRF840的Rds是0.85歐姆,我記錯了,以為是0.085歐姆.不過與我的測量結果仍是差距很大,也許是Vds太低的緣故吧.歡迎大家繼續指點.
產品目錄標的一般是常溫下的值,高溫是會增大很多.
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yin
LV.6
5
2003-11-04 08:53
兄弟,你是怎么驅動MOSFET的?
兄弟,你是怎么驅動MOSFET的?自舉升壓還是另外電源供電?1.2V是無法驅動MOSFET的.這么低的電壓我到建議你用三極管,開關效果要好的多,我也做過很多類似的電路,都是用三極管的.
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