我是電力電子這個領域的新手,也在積極地學習中,最近把有關電容器件的學習知識總結給大家共享,也同時希望大家能夠指正,給與我更多地幫助.我的目標是一名優秀的電源工程師.
一 薄膜電容器
在電子線路中的應用
1. 在振蕩電路,定時電路,延遲電路和濾波器中的應用.
在這幾種電路中,要求電容器的電容量具有良好的溫度穩定性,保證振蕩頻率,定時時間,延遲時間具有良好的溫度穩定性,此時選用溫度系數低的聚碳酸酯介質電容為首選,其溫度系數可以接近于零.其次應選用的是復合膜電容器,在國家標準中以CH表示,如國產的CH11復合膜電容器的電容量可以從1nF—0.47uF,在市場上很容易找到,采用黃色樹脂封裝.
如果在溫度幾乎不變的情況下電容器的選擇無特殊的要求,但是一定不能選用第二類陶瓷介質(其電容量隨電容器的溫度變化太大).
2. 在積分電路中的應用
在積分電路中,積分時間常數是由積分電容器和電阻決定的,通常電阻有良好的溫度特性,所以最關鍵的是要保證電容量的穩定,這一點與前面所述電路沒有區別,與它們不同的是,積分電路具有保持功能,因而要電容器的絕緣電阻越高越好,同時要保持積分的準確性,電容器的介質吸收要低.所以,通常積分電路的積分電容器應選擇介質吸收低的,然后考慮的是溫度系數,絕緣電阻.綜合考慮應首選介質吸收最低的聚苯乙丙烯介質電容器.
電容器的選擇和注意事項(1)
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@雪山無痕
有道理,在開關電源中用到的電容有:陶瓷,MYLAR,金屬,積層,電解等,而開關電源所設計的電路不謂乎以下幾種:吸收回路,輸出反饋回路,過壓/過載/過溫回路/風扇控制等,所以不同的電路,需要不同的電容,在吸收回路里我們常用陶瓷電容,其溫度特性要好,輸出反饋回路也會用到陶瓷電容,斜坡補償需要金屬電容,因其溫度特性更好,延時電路常用MYLAR電容,輸出濾波當然要用電解,輸入對地間電容要用高壓環氧樹脂電容.
3. 在采樣-保持電路中的應用
在這種電路中的最關鍵的是電容器的絕緣電阻,應以選擇絕緣電阻最高的介質為首選.如果頻率較高,還應考慮損耗因數,通常在薄膜電容中,損耗因數均可以滿足要求.
4. 作為耦合電容器
既要將交流或脈沖信號“無衰減”的耦合到后級,同時又不能影響后級的直流工作點,因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.
5. 作為MOSFET開關與IGBT開關的緩沖電容器
通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式
二 陶瓷介質電容器
1. I類陶瓷電容器
過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質損耗小,絕緣電阻高,介電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩定的電路,或用于溫度補償.
2. II類陶瓷電容器
過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設備中用于旁路,耦合或用于其他對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中.
陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數.I類超穩定介質用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩定介質對應的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級陶瓷介質材料可達到100uF.
在這種電路中的最關鍵的是電容器的絕緣電阻,應以選擇絕緣電阻最高的介質為首選.如果頻率較高,還應考慮損耗因數,通常在薄膜電容中,損耗因數均可以滿足要求.
4. 作為耦合電容器
既要將交流或脈沖信號“無衰減”的耦合到后級,同時又不能影響后級的直流工作點,因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.
5. 作為MOSFET開關與IGBT開關的緩沖電容器
通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式
二 陶瓷介質電容器
1. I類陶瓷電容器
過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質損耗小,絕緣電阻高,介電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩定的電路,或用于溫度補償.
2. II類陶瓷電容器
過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設備中用于旁路,耦合或用于其他對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中.
陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數.I類超穩定介質用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩定介質對應的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級陶瓷介質材料可達到100uF.
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@pioneerlxf
3.在采樣-保持電路中的應用在這種電路中的最關鍵的是電容器的絕緣電阻,應以選擇絕緣電阻最高的介質為首選.如果頻率較高,還應考慮損耗因數,通常在薄膜電容中,損耗因數均可以滿足要求.4.作為耦合電容器既要將交流或脈沖信號“無衰減”的耦合到后級,同時又不能影響后級的直流工作點,因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.5.作為MOSFET開關與IGBT開關的緩沖電容器通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式二陶瓷介質電容器1.I類陶瓷電容器過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質損耗小,絕緣電阻高,介電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩定的電路,或用于溫度補償.2.II類陶瓷電容器過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設備中用于旁路,耦合或用于其他對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中.陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數.I類超穩定介質用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩定介質對應的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級陶瓷介質材料可達到100uF.
不錯,頂起!!!!!
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@pioneerlxf
3.在采樣-保持電路中的應用在這種電路中的最關鍵的是電容器的絕緣電阻,應以選擇絕緣電阻最高的介質為首選.如果頻率較高,還應考慮損耗因數,通常在薄膜電容中,損耗因數均可以滿足要求.4.作為耦合電容器既要將交流或脈沖信號“無衰減”的耦合到后級,同時又不能影響后級的直流工作點,因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.5.作為MOSFET開關與IGBT開關的緩沖電容器通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式二陶瓷介質電容器1.I類陶瓷電容器過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質損耗小,絕緣電阻高,介電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩定的電路,或用于溫度補償.2.II類陶瓷電容器過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設備中用于旁路,耦合或用于其他對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中.陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數.I類超穩定介質用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩定介質對應的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級陶瓷介質材料可達到100uF.
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