FSDM0165系列IC工作在65K左右,并具有斗頻功能,內部集成MOS.這種IC應該是很好過EMI的,可是在用這種IC設計了一款12的電源后,傳導很好過,水平輻射也很好過,就是在垂直輻射30--35MHZ的地方超過2--6DB,其他頻段均有8DB以上余量.
   再經過幾天的艱苦整改,實驗了大量方法和多種變壓器結構后,發現所測的所有垂直輻射基本上都是一樣的的走勢.其他所有能想到的辦法都試過了,以失敗告終,最后用了變壓器外包銅皮+輸出T9*5*3磁環 2線8T+RCD中D用1N4007+DS之間并472/1KV電容串47R電阻這種很復雜的方法才把它壓下來,留了6DB余量.其中最有效的措施是DS之間并472/1KV電容串47R電阻,但這種方法大大降低效率,電阻發熱很大.
  經思考,認為是0165系列片內集成了MOS,這個MOS以固有的速度開通和關斷產生了30---35MHZ的輻射EMI所致,要解決這個頻段,最好就是在MOS的D和S間并聯RC緩沖來減小開通產生的大dV/dt和關斷產生的di/dt.
   邀請各位朋友們提出看法,也希望通過探討能更經濟的解決本人設計之電源之EMI問題.