圈數都加了一倍了,電感量還會一樣嗎?
難怪做電源的對學歷要求不高.

我猜測你的輸出大概是5V6A,增加線圈電感不變,就要加大氣隙,漏感變大,EMI會變大,線圈電阻也增大,損耗增大.

你看清楚了,那是反激的變壓器有氣息的,你這樣說會傷害很多人的.

你這個說法基本上是對的,但我有不同的觀點.關于EMI是否變差這個不一定,你說的只是一個經驗,因為你還有SNUBBER等可以去改善..,在銅損加大的同時,磁芯的損耗是減小的,具體哪一個更好要看試驗了.

瞎講

你是哪來的個家伙,誰說做電源對學歷要求不高?說話打擊一片.我看到很多低學歷的做的電源比我做的好得多,雖然他們說不出原因.你又怎么知道樓主的學歷?自己沒搞清楚不要亂講.
樓主你改后是可以用的,只要你的BOBBIN繞得下,線徑可流過工作電流,就可以,只是注意線包溫度,影響EMI不大,除非你的氣隙在兩邊.
我有時BOBBIN繞不滿就增加繞組,這是一個工藝和經驗問題.

我主要考慮的是軟件計算的結果Ns＝2有些不合適,我的輸出5V,Ns＝2T,相當于每圈2.5V.看很多資料都介紹說每圈0.6V時比較合適.所以才考慮增加Np.

還有一個問題再向大家請教一下,同樣的功率,為何輸出不同時Lp和Np也不一樣.如12V/2.5A和5V/6A計算的參數就不一樣.
還有當輸出為5V/3A+12V/0.5A+7V/0.8A+12V/0.05A四路輸出時,差異更大.謝謝!

還不知道自己是不是大炮,就開始轟人了!

軟件往往模糊了工程師之間的水平差異,你沒真正弄懂,因為瓦數雖一樣,但輸出電流不一樣,那初級電流峰值就不一樣,輸出電壓不一樣,反激電壓也不一樣,這在算初級電感時都要用到,你想想看還會一樣嗎?

設計變壓器不是靠蒙的!
你計算一個變壓器要顧及好多參數:
1.占空比,匝比不能太大,否則占空比也很大;
2.mosfet和dio的耐壓,兩者要兼顧;
3.工作模式的選擇,連續的程度;
4.氣隙最好在0.3~1mm,你的原邊匝數一下子翻了一倍,你知道你的氣隙要變化多大嗎?
5.變壓器損耗,最好讓銅損和磁損基本相等,這樣最好.
6.防止飽和;
7.盡量完全利用變壓器,讓線包充滿窗口.
要自己計算變壓器,好多軟件計算的不一定ok!
記住:反激變壓器是耦合電感,不是唯一的,主要看你要兼顧什么參數了.給我你的參數,我幫你計算一個變壓器.

其它幾條我支持,但“氣隙最好在0.3~1mm”,這可不一定了哦.

你知道為什么嗎?
但氣隙很小的時候,誤差就會對感量有很大影響,這主要是考慮批量生產,另外,氣息過大,漏感也大,EMc呢?不說也知道了吧?

5V 2T可以的,沒有問題

我只是覺得這是很基本的問題.
連這個都沒搞懂就用軟件代勞,你是在幫他還是在害他哦?我只是說話重了點而已,初衷也是希望他能把原理搞懂.
不要來不來什么大炮不大炮的.電源的對學歷要求不高是事實,但我沒有說做電源的學歷就不高.

圈數加一倍,電感量要大1.4倍,要維持電感量不變,老兄你要磨多少氣息哦?

講不出原因的就算做好了又有什么用?
如果你覺得自己是個合格的工程技術人員,那么請知其然的同時也要知其所以然,否則與剽竊無異.
你說對EMI影響不大,完全誤人子弟.

不能不承認你說的有道理,但現實中有很多時候氣隙是大于1的,一個電源它的空間定死了,那磁芯也就定死了,只可小不可大,因為電流線包繞得滿滿的,這時恐怕只能用增加氣隙來增加儲能空間,我曾見過氣隙達3MM的變壓器,我原來公司的反激電源氣隙均大于1,但就像你說的,看你偏重于哪一點.

我幾次碰到怪問題是人家用經驗告訴我怎么解決,說實在的,有些經驗我根本想不到那里去,然后我問為什么,他們往往說不出個原因,就只有自己去研究了.
我的本意是你要尊重低學歷者,你的話里有瞧不起學歷低的人.話又說回來,什么叫高學歷什么叫低學歷有一個絕對的界限嗎?你敢說你比樓主的學歷高嗎?假若人家是從其它專業轉行做電源的呢?說不定學歷比你高很多.你不回答人家也就罷了,還斷定人家是低學歷,現在好多剛畢業的高學歷者什么都不懂.
做學問是要刨根問底,但你敢說電源每個環節你都知其然也知其所以然嗎?那你把每種電源環路的傳遞函數或模型分析講出個所以然來聽聽,好多東西研究了但不一定講得出個所以然來.

有道理.

受教

你覺得樓主的這種精神值得學習嗎?
就是有太多的拿來主義,什么都是現成的,當然要落后于人了,像樓主這樣的簡單問題你說是不是應該先自己查書呢?我是在批評樓主,也是在喚醒仍然半睡半醒的人,不是要傷害某些人.

你不同意這個做法就不要回答就好了.

我所設計的變壓器的氣隙都在范圍以內,沒有那么大的,如果有大氣隙出現我會調整的,記住反激變壓器設計是一個反復的過程.

1176429223.doc
反激變壓器設計指導

話講到這個份上,我也不好再說什么了.
拿來主義是一個現狀,也是沒辦法,畢竟我們不是專搞科研的,有自己的實驗室,再說就算有自己的實驗室知識也不夠,我為什么這樣說呢,我在美國的大學同學講,美國的博士有經費,失敗了政府也不會追責任,他們每天就是把各個變量的可能性加以運算形成理論,我自認為我的高等數學學的還不錯,但看了他們的計算方法我感覺在看天書,不信你把華羅庚的《堆壘素數論》相關書籍找來看一下,看你能看懂多少,你用的工具軟件PROTEL,AUTOCAD,PROE/,MASTERCAM哪一樣不是國外的,仿真軟件SABER等又哪一樣不是國外的.電源的拓撲結構沒一樣是亞洲人發明的,更沒有中國人的份,近年來日本還算小有作為,幾乎全是美國麻省理工學院等幾個學校出來的.
以PROE/來說,美國原來是用來設計飛機的,根本不外傳,十幾年前他們有了更好的軟件才把PROE/推向市場,而這么多年了,我們連人家用的是什么都不知道,中國現在推出了幾樣三維軟件,但都比不上PROE/.

增加線圈電感不變,GAP加大了,漏感會變大,EMI會變大,線圈電阻也增大,銅損增大,但鐵損會小點．要看你的具體電路跟BBN大小,還有變壓器工法等,并不是NP越大越好的．

很好的資料.非常感謝!

他講的是同樣的感量,那么f不會變,鐵損就不會變;匝比不變,那么初次級電流就不會變,整個損耗隨銅損加大.

1.4倍是怎么算的?

兄弟,鐵損和dB是有關系的,你在好好想想,寫下公式就知道了.