由于是同一個問題，我在多個網(wǎng)站都提了問，希望有更多的解惑。所以這里指發(fā)一下連接了：

http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/136715.aspx

主要就是用MOSFET緩起，發(fā)現(xiàn)輸入是MOSFET燒了。

Vin=-36V~-72V, Vee是-, BGND是+。R1=R2=1MΩ, R3=300KΩ，R5=100KΩ，C32=0.03uF, MOSFET選的是IRF3710, 負載電容C86=600uF，設備正常工作在-48V，負載功耗約200W(IL=4A).Q1是用來做緩起動的，Q2是為了防反接的。MOSFET是DDPAK封裝，Ciss=2700pF，Crss=150pF，RDson=18mΩ，DS耐壓100V，GS耐壓20V。

問題描述：①-50V上電發(fā)現(xiàn)電源連接器打火，認為緩起MOSFET沒起作用，結果發(fā)現(xiàn)Q1的DS已經(jīng)短路了，加工回來的新板子，第一次上電正常，后面因為MOSFET燒毀就打火了。

改進：②將R1+R2改到300K，R3+R5=68K，發(fā)現(xiàn)在43V輸入正常，不打火，正常啟動，但在50V輸入時Q1又燒毀了。

繼續(xù)改進：③R1+R2=68K，R3+R5=14K，72V輸入正常，Q1沒有燒毀，但是打火嚴重啊，啪啪的聲音，電源連接頭都看出來燒糊了。

請問電路設計有問題嗎？怎樣保證既不打火又不燒MOSFET管？MOSFET管為什么會燒呢？

我后來又在網(wǎng)上找了一些資料，就是利用米勒平臺來控制最大電流的，在第②種條件下，Q1的gd之間飛了一個1k電阻和15nF的電容，還是燒。MOSFET管都燒了幾十個了！