以LTC3780為核心做了2版boost-buck電路，實現10-32伏輸入，24伏輸出，在調試中發現，2版的空載電流不一樣，原理圖一模一樣；例如：10伏輸入，這2版PCB的空載電流分別為49mA和67mA,這空載功耗除了主控芯片消耗比較多，還有哪些地方功耗大？
ltc3780的空載功耗如何降低
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@kaoyangod
唉，冷冷清清
哪會冷清, 熱的勒....
你這蕊片剛看了IQ值在正常操作模式時 Typ=2.7mA, 所以等於整體消耗來自MOSFET回路...
而MOSFET回路消耗為
1). 下橋推動消耗
2). 上橋自舉電容充電消耗與上橋推動消耗
其中, 自舉電容銷耗應該最大, 在來是下橋MOSFET推動消耗, 因為不管是Buck或Boost, 下僑總會有一個週期開到很大, 上橋驅動則是與自舉電容單位
時間內儲存能量有關, 你在不同版本上可能是Layout不同, 紋波高度不同才會導致損耗有差異..
可以這樣改
1). 自舉電容若頻率高, 其實不需用到104那麼大, 可改小
2). 自舉充電二極體通常會串一顆幾 R 電阻, 可串看看
3). 下橋MOSFET可在操作最大週期那一顆的G串一顆幾 R 電阻
4). 不同的MOSFET有不同的Ciss 與Qg, 不介意的話, 換不同廠牌看看.....
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@juntion
哪會冷清,熱的勒....你這蕊片剛看了IQ值在正常操作模式時Typ=2.7mA,所以等於整體消耗來自MOSFET回路...而MOSFET回路消耗為1).下橋推動消耗2).上橋自舉電容充電消耗與上橋推動消耗其中,自舉電容銷耗應該最大,在來是下橋MOSFET推動消耗,因為不管是Buck或Boost,下僑總會有一個週期開到很大,上橋驅動則是與自舉電容單位時間內儲存能量有關,你在不同版本上可能是Layout不同,紋波高度不同才會導致損耗有差異..可以這樣改1).自舉電容若頻率高,其實不需用到104那麼大,可改小2).自舉充電二極體通常會串一顆幾R電阻,可串看看3).下橋MOSFET可在操作最大週期那一顆的G串一顆幾R電阻4).不同的MOSFET有不同的Ciss與Qg,不介意的話,換不同廠牌看看.....
感謝回復，我可以按照你的思路試一下
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