大功率真空電子管，能工作到100MHZ，耐壓可達幾十KV，單只功率可達幾十KW，秒殺一切IGBT，IGBT估計再發展十年都達不到這種能力。

但電子管缺點也很明顯，笨重，可靠性低，效率低。

這種元件, 如果不是60年代的應該都沒看過, 不要在網上找一張圖就表示會.......

真空管至少會有5Pin, 圓型玻璃封裝, 要加腳座, 除了與電晶體一樣有發射極, 收集極,  控制極, 另外兩Pin 就是鎢絲, 會發亮發熱, 其亮度與氖燈差不多, 所以使用真空管要預熱一段時間才可以工作......

原理是: 將鎢絲置於發射極底下, 鎢絲施加AC6V使其發亮發熱, 發射及施加負, 收集極施加正, 控制極置中, 它是一片金屬然後很多小孔, 以方便電子穿越....

 當鎢絲加熱到一定程度時, 發射極金屬電子開始產生熱跑脫, 因為收集極施加正壓,所以電子會往收集極跑, 形成電子流, 此時若在控制極施加負壓, 則會因為推斥而阻擋電子流, 讓電子流截斷, 若施加正電則會讓電子加速往收集極跑直到飽和

真空管的好處是全都是金屬沒有半導體材料, 因此不會發生雪崩現象, 施加高壓或流過很大電流也燒不死, 因為其本身就操作在高溫, 所以根本就不怕高溫

唯一會壞的是鎢絲久了會燒斷, 燒斷就沒用了......

若是超功率管, 則是怕溫度超過金屬疲乏點, 因此上面玻璃面還會包裝水, 以利玻璃散熱, 這除非特殊用途, 不然還是乖乖用IGBT就好, 因為這元件已經很少幾乎不生產, 買的道也非常非常的貴........

目前，在高壓高頻大功率應用方面，電子管仍無替代的半導體產品。

在上MHz高壓高頻大功率領域，電子管仍是無可替代的唯一選擇。

在幾KKW的大功率方面，是可控硅的天下。

只有在幾百KW以內的功率內，才是IGBT的應用范圍。

在幾百W范圍內，是MOSFET的領域！

最頂級的功率應用，是電子管，這是目前半導體無法達到的高度，高達30KV的耐壓能力，這時即使1A的工作電流，就意味著能輸出近30KW功率，單這一點就把半導體甩幾條街，另外就是它能達上百MHZ的高頻能力。這兩方面，就夠半導體追趕幾十年的！

再次是可控硅，中小功率方面，可控硅已被IGBT替代，但幾KKW的大功率方面，IGBT性能仍不及可控硅。