反激電路，原邊反饋的問題
給手機充電的電路，反激隔離電路，重點是原邊反饋模式。如果反饋電阻生銹阻值變化，輸出電壓也會相應的增大或減小。減小沒有關系，如果增大的話會燒壞負載。 哪位有什么好的預防措施呢，從輸出接一塊輸出過壓切斷保護，還是有什么別的方法預防，只要求不能超壓就行，不充電沒有關系。誰給分析一下。 或者這種電阻變質的情況是不是基本不存在呢。
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@恒雪
我試過了，用的一個5V6的穩壓管，超壓后輸出為打嗝狀態。可以輸出波形每次約有200ms的高壓狀態。這個時間對手機會不會影響比較大。
是200mS間隔打一次高壓? 還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?
前者調整高壓啟動電阻讓啟動變慢, 則打嗝時間自然變慢
後者是與你的ISE頂到位置有關, 所以
1), 你先在滿載*150%負載下, 看看電源是否可以進OPP模式(開始打嗝)
2). 若不可以, 負載需要到180%, 那就先調回來, 那只要增大R7或R8就可以
3). 調回來後, 看過電壓穩壓管擊穿後, 打嗝的週期寬度為多少
4). 若還有100mS, 那就把OPP調到130%區間........
一般半導體Over Spec 測定值為600uS , 但你從手機u-Usb進入, 內有電容還有充電電路, 預估應該壓在50mS以下才安全....
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http://m.daogou-taobao.cn/bbs/classic/
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@juntion
是200mS間隔打一次高壓?還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?前者調整高壓啟動電阻讓啟動變慢,則打嗝時間自然變慢後者是與你的ISE頂到位置有關,所以1),你先在滿載*150%負載下,看看電源是否可以進OPP模式(開始打嗝)2).若不可以,負載需要到180%,那就先調回來,那只要增大R7或R8就可以3).調回來後,看過電壓穩壓管擊穿後,打嗝的週期寬度為多少4).若還有100mS,那就把OPP調到130%區間........一般半導體OverSpec測定值為600uS,但你從手機u-Usb進入,內有電容還有充電電路,預估應該壓在50mS以下才安全....
屬于后者
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@恒雪
謝謝各位前輩們提的意見，給分析一下我的擔心有沒有必要。 我擔心的就是R5阻值變質，實測增大后輸出電壓也會增大。 加一個過壓保護功能，或者做一個過壓鉗位什么的。都有什么方式，要求只要不會燒手機就行，異常了損壞電路沒有關系。成本不能太高。 [圖片]
那你只好這樣用
將432(因為431導通電壓太高怕Mosfet_VGS不足) 設為5.5V導通, 若你有線補功能, 若線補電壓為0.3V, 則設5.5V若線補電壓為0.4則設5.6V, 當導通後P-mos 直接兩端短路.........
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