輻射30M-50M通不過
3PIN輸入，AC-DC恒壓+DC-DC恒流42V 1.1A，MOS管D加磁珠，輸出二極管加磁珠，塑膠外殼，變壓器初次級銅箔內(nèi)屏蔽接地+外包銅箔磁屏蔽接地 請高手幫忙看看 加磁珠對30M-50M這里沒有太大效果 由于影響調(diào)光效果 次級輸出沒有加共模電感 由于CY3效果比較明顯，所以一直加大到103，不知道漏電流行不行
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triac調(diào)光嗎？還是0-10V或PWM
原理圖放全點，CY1接法貌似有問題，只見過初級高-->次級地，初級地-->次級地，沒見過初級地-->次級高
30M-50M多是由于MOS管高速開關(guān)引起的，建議從如下幾個地方試試：
1. 改變變壓器繞法，采用三明治繞法，從內(nèi)到外，NP1-->NA-->NS-->銅箔0.9T屏蔽接地-->NP2，或者再加外屏蔽接地
2. RCD吸收部分，R阻值小一點，二極管換個FR107或者換個慢管試試，MOS管換個型號也許有意想不到的效果
3. 看了下，DS電容已經(jīng)加到101/1KV了，實在不行稍微再大一點點，畢竟這里對30-50M是有奇效的,但是代價也很高
總之，這個頻段，要從變壓器、MOS管、RCD這塊下手多想想辦法，多調(diào)調(diào)吧，祝你好運(yùn)
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@陌路
triac調(diào)光嗎？還是0-10V或PWM原理圖放全點，CY1接法貌似有問題，只見過初級高-->次級地，初級地-->次級地，沒見過初級地-->次級高30M-50M多是由于MOS管高速開關(guān)引起的，建議從如下幾個地方試試：1.改變變壓器繞法，采用三明治繞法，從內(nèi)到外，NP1-->NA-->NS-->銅箔0.9T屏蔽接地-->NP2，或者再加外屏蔽接地2.RCD吸收部分，R阻值小一點，二極管換個FR107或者換個慢管試試，MOS管換個型號也許有意想不到的效果3.看了下，DS電容已經(jīng)加到101/1KV了，實在不行稍微再大一點點，畢竟這里對30-50M是有奇效的,但是代價也很高總之，這個頻段，要從變壓器、MOS管、RCD這塊下手多想想辦法，多調(diào)調(diào)吧，祝你好運(yùn)
是0-10V模擬調(diào)光的.昨天出去測試，測試時的參數(shù)：CY1拿掉，CY2用222 ，整流管陰極套磁珠，MOS管 G和S套磁珠，CY2、CY3兩端套磁珠 R13減小到10R 如圖：
整改：1.只改RCD吸收100K減小為50K，30-50M部分全部超約5DB
2.只改輸出正、負(fù)極串聯(lián)30M 0805 貼片磁珠，無效
3.只改輸出線套磁環(huán)，OK，余量3DB
4.只改輸入線套磁環(huán)，30M到35M超約4個DC，35M 后全部OK
5.DC-DC部分去除，用AC-DC PSR 恒流輸出不變，OK，余量6DB
6.只改DC-DCmos 驅(qū)動極限流電阻從300R減小到47R,30-50M部分輻射都會有上升，約3DB
7.只改輸出整流管陰極磁珠去除，30-50M部分全部超約5DB
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@山間小溪
是0-10V模擬調(diào)光的.昨天出去測試，測試時的參數(shù)：CY1拿掉，CY2用222，整流管陰極套磁珠，MOS管G和S套磁珠，CY2、CY3兩端套磁珠R13減小到10R如圖：[圖片]整改：1.只改RCD吸收100K減小為50K，30-50M部分全部超約5DB2.只改輸出正、負(fù)極串聯(lián)30M0805貼片磁珠，無效3.只改輸出線套磁環(huán)，OK，余量3DB4.只改輸入線套磁環(huán)，30M到35M超約4個DC，35M后全部OK 5.DC-DC部分去除，用AC-DCPSR恒流輸出不變，OK，余量6DB6.只改DC-DCmos驅(qū)動極限流電阻從300R減小到47R,30-50M部分輻射都會有上升，約3DB7.只改輸出整流管陰極磁珠去除，30-50M部分全部超約5DB
能否告知您的仿真軟件叫什么？謝謝
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