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LinkSwitch-XT設計時候的反饋電路選擇哪種

LinkSwitch-XT內部集成了一個700V的功率MOSFET及一個開關控制器，最近打算用它來設計一款低功耗的電源適配器，安裝在智能產品上，設計方案基本定了，現在唯一的疑惑就是反饋方式的選擇問題，LinkSwitch-XT可以采用兩種不同的反饋方式，分別是初級側穩壓反饋和次級側的光耦器進行反饋，前一種具備CV輸出特性，而后一種具備CV/CC輸出特性，看似后一種電路更加復雜，是不是反饋特性更優？這兩種反饋有什么區別，采用哪種方式更加適合？

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opingss88
LV.10
2
2017-03-12 22:20
初級側穩壓反饋方式依靠偏置繞組對輸出電壓進行穩壓調節，所以也稱為偏置繞組反饋
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gdhe342
LV.9
3
2017-03-12 22:51
@opingss88
初級側穩壓反饋方式依靠偏置繞組對輸出電壓進行穩壓調節，所以也稱為偏置繞組反饋
偏置繞組需要放在距離次級繞組比較近的地方，耦合才緊密，可以達到較好的穩壓精度
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truim333
LV.9
4
2017-03-12 23:13
次級側的光耦器進行反饋的方式具備兩種特性，應該會更優，但是電路上復雜了
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fordfiash
LV.9
5
2017-03-14 22:48
@truim333
次級側的光耦器進行反饋的方式具備兩種特性，應該會更優，但是電路上復雜了
次級側反饋不需要偏置繞組，相對于初級側反饋其精度更高
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fordfiash
LV.9
6
2017-03-14 22:52
@truim333
次級側的光耦器進行反饋的方式具備兩種特性，應該會更優，但是電路上復雜了
電路復雜帶來成本也上升，需要更多的元件，也更不容易設計
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gdhe342
LV.9
7
2017-03-15 20:56
@fordfiash
次級側反饋不需要偏置繞組，相對于初級側反饋其精度更高
初級側反饋只要電阻值選取的好，一樣可以到達理想精度的要求
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gdhe342
LV.9
8
2017-03-15 20:58
@gdhe342
初級側反饋只要電阻值選取的好，一樣可以到達理想精度的要求
電阻值計算得當可以保證空載功耗，又可以防止漏感引起的濾波電容峰值充電
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2017-03-15 22:56
@gdhe342
初級側反饋只要電阻值選取的好，一樣可以到達理想精度的要求
初級側反饋就算再調校的很理想，其精度也會比次級側反饋方式差一些吧
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黑夜公爵
LV.10
10
2017-03-15 23:00
@fordfiash
電路復雜帶來成本也上升，需要更多的元件，也更不容易設計
是的呢，兩者各有利弊，我對性能的要求可能更高，成本和尺寸，設計復雜程度可以克服下
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黑夜公爵
LV.10
11
2017-03-15 23:01
@gdhe342
偏置繞組需要放在距離次級繞組比較近的地方，耦合才緊密，可以達到較好的穩壓精度
但是太近是否會有風險，安全距離還是要注意的吧，設計經驗很重要
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fordfiash
LV.9
12
2017-03-17 22:19
@黑夜公爵
初級側反饋就算再調校的很理想，其精度也會比次級側反饋方式差一些吧
兩者的反饋原理不同導致精度不一樣，初級側反饋怎么也達不到次級側反饋的精度
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黑夜公爵
LV.10
13
2017-03-23 17:16
@fordfiash
兩者的反饋原理不同導致精度不一樣，初級側反饋怎么也達不到次級側反饋的精度
次級側反饋看上去除了設計復雜，需要更多的元器件，幾乎沒有其他短板，而且可以支持CV/CC特性
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黑夜公爵
LV.10
14
2017-03-23 17:17
@gdhe342
電阻值計算得當可以保證空載功耗，又可以防止漏感引起的濾波電容峰值充電
初級側和次級側的空載功耗大概分別在多少，這和設計采用哪種反饋關系大么？
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2017-05-03 20:49
這兩種反饋電路都可以用，第一種最為簡單后面的第二種可能是用的最多的精度稍好一點。
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wengnaibing
LV.9
16
2017-05-03 21:07
@gdhe342
偏置繞組需要放在距離次級繞組比較近的地方，耦合才緊密，可以達到較好的穩壓精度
在偏置繞組與次級繞組之間，通常需有一層膠帶，以防止絕緣導線的磨損
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z1249335567
LV.8
17
2017-05-05 13:25
@親愛的郭郭
這兩種反饋電路都可以用，第一種最為簡單后面的第二種可能是用的最多的精度稍好一點。
這兩種反饋電路上面的那種精度差，還多了應該繞住變壓器小不了，后面的稍好一點可能是用的最多的。
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2017-06-06 12:13
@opingss88
初級側穩壓反饋方式依靠偏置繞組對輸出電壓進行穩壓調節，所以也稱為偏置繞組反饋
次級側的光耦器反饋方式比初級側穩壓反饋精度更好電路也復雜一點。
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