T-120球泡36W求教
T-120球泡36W，采用MC5833芯片，輸入電壓要200V才能點亮不閃，小于200V就會閃，求大神解決辦法。本人新手，剛接觸LED燈，在線等
全部回復(35)
正序查看
倒序查看
@錦鑫
[圖片]這是反面的PCB板，以及下面的BOM，你能幫我看看你說的是哪個電容和電阻啊[圖片]
按規格書所述, 啟動電流為最大195uA(一定要取最大值)而啟動電壓為14.2v, 所以低壓斷(啟動電阻接橋堆後, 且有電解濾波電容)
則R1串R2 總阻值為(90Vac*1.414) - 14.2 / 195uA 約為580K , 你R1用300K , R2 用270K;;電阻只可以小不可以大.....
計算功率 ((240Vac *1.414) -14.2)^2 / 580K = 0.18w左右, 會有點溫度喔....
若起動在僑堆之前則(90Vac*1.414*0.8) -14.2 = 450K R1你用300K , R2 你用250K (0.8為半週整流預抓整流效率) ;;電阻只可以小不可以大......
0
回復
@juntion
按規格書所述,啟動電流為最大195uA(一定要取最大值)而啟動電壓為14.2v,所以低壓斷(啟動電阻接橋堆後,且有電解濾波電容)則R1串R2總阻值為(90Vac*1.414)-14.2/195uA約為580K,你R1用300K,R2用270K;;電阻只可以小不可以大.....計算功率((240Vac*1.414)-14.2)^2/580K=0.18w左右,會有點溫度喔....若起動在僑堆之前則(90Vac*1.414*0.8)-14.2=450K R1你用300K,R2你用250K (0.8為半週整流預抓整流效率) ;;電阻只可以小不可以大......
你好，按照你的這個啟動電阻的計算，這個580K是你輸入電壓90Vac來算的吧，我要的是寬電壓，120V-260V.那這個啟動電阻580K的話，高壓下，啟動電流會超過MC5833的啟動電流195uA，這如何是好？（注：我真的是小白）
0
回復
@juntion
啟動電流是在輸入AC最低時保證可以啟動,只能高不能低,就是無論如何都要高於195uA,低於就起動不起來....上面的式子我已經幫你算出啟動電阻的消耗功率,就是因為啟動電流很大,所以120V那ㄧ段,開幾點亮會慢一點,240V時點亮速度就很快....
”R1串R2 總阻值為(90Vac*1.414) - 14.2 / 195uA 約為580K , 你R1用300K , R2 用270K;;電阻只可以小不可以大.....“
你這里是指輸入電壓是90Vac，然后計算出啟動電阻為580K嗎？我上傳的BOM表上啟動電阻是R1，R2，都是680K，計算下啟動電流也不是特別大啊
0
回復
@錦鑫
一個新項目：燈珠為1W VF9.0--9.2V 打算做15W球泡燈， 寬電壓輸入（90Vac---265Vac)，高功率因數，過EMC，功率要求±10%，非隔離式電路，求您指點具體方案，究竟該怎么設計？PS：另問這個晶豐明源的BP2326A能否適合上述的要求？
上原理圖:
當你的輸入電壓與LED太接近, 且PWM控制MOS的最大週期無法到90%以上, 你將會出現Vin = VLED的情形...
這最主要都是最大週期造成的緣故.....
致於BP2326A內建MOS可以, 不過以輸入15W輸出相當於12W的球泡燈, 建議還是使用MOS外推較好, 尤其是這種結構因為非共地, 且VCC會受影響....
若MOSFET內建結構應該用這種, 效率要高用這種
其中矽力捷在大陸應該有點知名度, 綠達反而在珠海, 長安, 虎門那一帶照明廠較有名, 有興趣你可以問他們PM看看 jean_kao@hawyang-semi.com
GL26014 Datasheet-20150123.pdf
這種好處是效率高, EMI好過, VCC穩定, 缺點是需使用Bobbin, 一組主線圈, 一組輔助, 一樣非隔離, 溫度會較低...
0
回復
@juntion
上原理圖:[圖片]如圖page1,是基本結構,page2與page3是Mos導通與截止時LED的電流流向,CS做LED限流,主要條件看Page4當你的輸入電壓與LED太接近,且PWM控制MOS的最大週期無法到90%以上,你將會出現Vin=VLED的情形...這最主要都是最大週期造成的緣故.....致於BP2326A內建MOS可以,不過以輸入15W輸出相當於12W的球泡燈,建議還是使用MOS外推較好,尤其是這種結構因為非共地,且VCC會受影響....若MOSFET內建結構應該用這種,效率要高用這種其中矽力捷在大陸應該有點知名度,綠達反而在珠海,長安,虎門那一帶照明廠較有名,有興趣你可以問他們PM看看 jean_kao@hawyang-semi.comGL26014Datasheet-20150123.pdfAN_SY58594A_HY_Saviny.pdf這種好處是效率高,EMI好過,VCC穩定,缺點是需使用Bobbin,一組主線圈,一組輔助,一樣非隔離,溫度會較低...
MOS管外推主要是考慮空間和成本有限，這幾天我在用BP2328A做15W球泡燈的測試，發現IC溫度高達128度，照理論此芯片用在球泡燈A70 15W(2并8串，輸出200mA，72V），應該沒有問題的，就是這溫度太高了，降不下來，求大神如何計算BP2328A外圍電路具體參數的方法，拜謝
0
回復
@錦鑫
MOS管外推主要是考慮空間和成本有限，這幾天我在用BP2328A做15W球泡燈的測試，發現IC溫度高達128度，照理論此芯片用在球泡燈A7015W(2并8串，輸出200mA，72V），應該沒有問題的，就是這溫度太高了，降不下來，求大神如何計算BP2328A外圍電路具體參數的方法，拜謝
你那已經算18W而不是15W, 因為照明試算輸入不是算輸出, 所以0.2*72 = 14.4
效率以80%算 = 14.4 / 0.8 =18W
這種結構有其先天缺陷, 因為MOSFET不共地, 所以交換損失很大, 你只有兩個地方可以改
一是電感加大
二是下地續留二極體若用1A, 那改3Ar減低VF損失
像這GL8211-Preliminary DS-VB.pdf
MOSFET外推, 早期在臺灣照明用的很多一個月好幾KK, MOSFET用To220,
但作到15W, 也只有一個字......死.......非常燙....所以這一類最多做到10W就偷笑了....
0
回復
@juntion
你那已經算18W而不是15W,因為照明試算輸入不是算輸出,所以0.2*72=14.4 效率以80%算=14.4/0.8=18W 這種結構有其先天缺陷,因為MOSFET不共地,所以交換損失很大,你只有兩個地方可以改一是電感加大二是下地續留二極體若用1A,那改3Ar減低VF損失像這GL8211-PreliminaryDS-VB.pdfMOSFET外推,早期在臺灣照明用的很多一個月好幾KK,MOSFET用To220, 但作到15W,也只有一個字......死.......非常燙....所以這一類最多做到10W就偷笑了....
BP2328A的效率基本達到95%左右，所以我輸出應該差不多72V，190mA，所以輸出基本約0.19*72=13.7W，輸入13.7/0.95=14.4W，不管效率究竟幾何，我輸入基本在14.5W左右，然后你說的兩個地方，第一個加大電感，是指加大電感的規格呢還是加大電感量啊，我現在用的是EE13臥式的1mH，加大到多少合適，這個電感怎么計算才是對的，這個電感變化，與其連著的電阻是否也要改變？
0
回復
@錦鑫
BP2328A的效率基本達到95%左右，所以我輸出應該差不多72V，190mA，所以輸出基本約0.19*72=13.7W，輸入13.7/0.95=14.4W，不管效率究竟幾何，我輸入基本在14.5W左右，然后你說的兩個地方，第一個加大電感，是指加大電感的規格呢還是加大電感量啊，我現在用的是EE13臥式的1mH，加大到多少合適，這個電感怎么計算才是對的，這個電感變化，與其連著的電阻是否也要改變？
??你效率做到95%那理論上IC應該不燙, 那你可能是放在燈泡裡面, 由LED所發出的熱給帶上來, 那你應該朝燈殼
散熱方向解決才對...因為改變電感會改變電流斜率, 所以定電流點會跑掉, 需再修正.......
0
回復
就是這樣的一個外殼，塑包鋁的外殼，
