低壓可以, 高壓就麻煩了...

1). P_MOS因為製程關係, 越高壓則Die Size(晶片尺寸)需要越大, Die Size越大則價錢越貴, 且目前P-mos 做到400V已經不錯了, 問題400V夠用麼?

2). P-MOS在關斷時, G-S極必須低於一個Vth, 當你P-MOS的S接腳接到500V, 那驅動部份High 必須拉到500V-Vth ,沒這種高壓的驅動, 再者, 打開時 Low必須高出一個Vth, 問題時N-MOS必須關掉, 因此Low Active 必須是500V-Vth , 但是MOSFET 的VGS最多+/-25V - 30V而以阿...

3). P-MOS的關斷速度慢, RDSon高, 耐電流不大, 用這種有何意義?  

那6個nmos有三個需要自舉升壓如何處理啊

有三個驅動要用自舉電路將驅動電壓提升到Vin+Vgs(th)電壓...

專用Gate Driver就有這功能, 像IR2110這一類就是.....