你就不會一次問喔........

之前在一個子板塊有看到MOS_G有併聯電容, 跟你這一樣..無言

首先跟你講的是內建圖騰柱(Driver)的結構, 其內部三極體的飽和電壓(Vset)與推動電流(Iout)成正比, 也就是輸出推動電流越大, 則飽和電壓越高, 

且, 當 Ciss=0  I = 無限大, 即使VGS = Vciss =Vth 階段, 電流依然很大, 所以推動端都需要串電阻以防止電流過大, 驅動IC會發燙..

外掛圖騰柱則沒這問題, 飽和電壓就是0.2-0.3V, 所以不串電組也無所謂....

上圖, 承你上一個問題, Ic(Q307) = 0.7A ,導通後藉由D302與R311接通到Mosfet (Q323)由於串接電阻, 因此電流變

當 t=0  Ciss=0  Ic(Q307)max=0.7A   R113(min) = (12 - Vset(Q307) - Vf(D302)) / 0.7A =15.7R(min)

所以 R311 最小值, 可以用15.7R 上圖電阻為51R, 則電流為 (12-0.3-0.7) / 51R = 0.2A

Q308為放電用, 當Q307 off 以候 Q308 必需導通, 其藉由R302提供偏壓, 但是Q308只要一導通VGS便往下降, 而Ib(Q308) = VGS - Vbe / R302

且放電過程中, 保證放電過程電流與充電一樣不低於0.2A, 最低點為Mosfet_Vth, 查Mosfet Vth = 4V  β = 150   Ib(Q308) = 0.2A / 150 = 1.3mA

而 Ib*β 必須大於IC 因此 Ib 取 1.5mA

R302 = Vth -Vbe(Q308) / 1.5mA = 2.2K 

C311 可不接, 主要是會增加 Ciss , 如果要接也應該接一顆10K電阻才對.........  

 

可是為什么我把R302去掉的話，MOS管都導通不了

而且這個Ic(Q307)=0.7A是怎么來的，Q307為什么是工作在飽和區

不好意思新手問題比較多

電晶體要導通以PNP而言E==>+   B==>- , C==>-如果你把R302去掉, 那Q307_C路徑是Q308的B-E, 可是B為+, 所以Q308不會導通

再看D302+R311接的是MOS_G, 可以G是電容性只會在瞬間充電, 充飽後沒電流Q307就不會在通了, 所以R302是除了給Q308偏壓以外

一方面是當Q307的負載

這樣Q307怎會通勒...

要這樣才會通, 有偏壓

謝謝，我明白了

那Q307為什么是工作在飽和區呢

像這樣

Mosfet_信號只能靠2.2K放電

這樣放電PNP不會通, 因為51R阻抗低, 無法建立0.7V讓PNP通

加了D302建立了0.7V電壓Q308才會通....

然後0.7A就是你第一帖發問的時候以 Ib * 放大率算出的最大飽和電流, 你忘了阿??????至於位何工作在飽和區, 是因為我門給它很大的Ib

沒進飽和區MOSFET 怎推的動?

可是這個D302二極管的放置，是U(Q308-B)>U(Q308-E)，而Q308是PNP管，Q308仍舊無法導通啊

那是你D302二極體Vf用太低了, 使Q308無法建立0.7V, 當然不會通...不要用蕭特基二極體......

??看不懂

就是這個放電回路里面

捕獲

Q308只有在你Q307 off以後才會通, 所以你從WH送一個HIGH=> LOW=>HIGH=>LOW信號控制MOSFET

就會是

HIGH=>Q307通 MOS_D對S 通       

LOW=>Q308通, 對mos_G放電, Q307不通, MOS 不通

看不到圖.....

能講講放電回路么，那里不明白，謝謝

如圖:

Q308放電路徑

少了D302放電路徑

可是D302陰極在上啊，也就是單向導通，R311這條應該算是斷的，怎么放電

你哪一之眼睛看到R311+D302那條路徑可以通?, 那ㄧ個圖是假設D302被短路, 不接, 只接51R的路徑....

當D302接了以後就跟上上圖一樣, 不會經由R311+D302那個路徑, 只會從Q308_VBE+R302那個路徑與Q308_E_C 跑....

不然你如果再看不懂, 那你把"少了D302放電路徑"那一張圖用橡皮擦把他擦掉好了, 當我沒畫以免你誤解....

已經被添加到社區經典圖庫嘍
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