威世FA57SA50LC是第三代國際整流器設計與快速切換的最佳組合，堅固耐用的設備設計，低電阻和成本效益。采用SOT - 227封裝普遍首選的商業工業應用的功耗水平在約500瓦。
低的SOT - 227熱電阻有助于其在整個行業廣泛接受。
該物料已經停產，海飛樂目前在封裝FA57SA50LC SOT-227模塊。 136-3295-7632 朱先生
產品特點完全隔離的封裝易于使用和并行低電阻額定動dv/dt完全雪崩額定簡單的驅動要求低門電荷裝置內部低電感原裝現貨MOS管FA57SA50LC技術參數通道類型 N最大連續漏極電流 5.7 A最大漏源電壓 500 V最大漏源電阻值 0.08 Ω最大柵源電壓 ±20 V封裝類型 SOT-227安裝類型 螺絲引腳數目 4通道模式 增強類別 功率 MOSFET最大功率耗散 625 W寬度 25.7mm典型接通延遲時間 152 ns尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm每片芯片元件數目 1長度 38.3mm高度 12.3mm最低工作溫度 -55 °C典型柵極電荷@Vgs 225 nC @ 400 V典型關斷延遲時間 108 ns典型輸入電容值@Vds 10000 pF @ 25 V最高工作溫度 +150 °C 這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon（外在硅），他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric（柵介質）。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。 當MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現了。
