先介紹一下RCD吸收電路，它是電阻R和電容C串聯(lián)二極管D的一種電路。并聯(lián)在MOS上面，當MOS開關(guān)斷開，蓄積在寄生變壓器電感中的能量會通過吸收電阻對吸收電容充電（也會對開關(guān)管的寄生電容充電的）。這樣由于吸收電阻的作用其阻抗將變大，那么吸收電容也就等效地增加了開關(guān)管的并聯(lián)電容的容量，從而抑制開關(guān)斷開的電壓浪涌。而在開關(guān)接通時，吸收電容又通過開關(guān)放電，此時，其放電電流將被吸收電阻所限制。

     雖然RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量，而且也消耗變壓器勵磁能量，因此降低了變換器變換效率。但是他保護了MOS不受漏感尖峰的危害。       如果我們現(xiàn)在使用LNK362實現(xiàn)無箝位RCD吸收電路設(shè)計，這樣的話變壓器電感中漏感怎么辦呢？對變壓器繞制技術(shù)是不是有特殊要求。