CCM、CRM、CDM模式
看了很多資料，但都沒有實際去接觸過，想了解下CCM、CRM、CDM有什么區(qū)別，在什么情況下才能選擇合適的工作模式，望大師們賜教，謝謝！
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@ae10257
學習了。。。。。。。。。。。。。。
兩天都沒人回答你, 唉.....新手若看不懂就再去查資料....
DCM定義為: 輸入能量大於輸出能量
CRM定義為: 輸入能量等於輸出能量
CCM定義為: 輸出能量大於輸入能量
其中DCM與CCM為頻率固定,週期控制, CRM為週期固定頻率控制
正常以能量轉(zhuǎn)換而言, 常見的就是PWM , 與 PFM兩種而PWM是最普遍也最成熟
當設(shè)計交換式電源作為能量轉(zhuǎn)換, 普遍的方式是在輕載到70%負載間以DCM模式操作, 超過後進入CCM, 此時效率會完全拉上來
兩者差別於DCM因為能量不連續(xù), 所以轉(zhuǎn)換效率差, 且輸出連波較高, CCM為連續(xù)模式, 所以轉(zhuǎn)換效率較高, 漣波也較低..
舉個例子, 當你選定一個變壓器尺寸, 而規(guī)格輸出功率較高, 但這變壓器並無法符合輸出功率要求, 理論上可以提高操作頻率, 但是你又不想, 因為EMI較難解, 但又怕變壓器飽和, 所以就將鐵蕊間隙磨深一點, 增加磁路長度, 減低感量, 如此一來則完全操作在DCM也可以達到輸出功率要求, 但是效率很差, 溫度變高...堪用....但是請注意, 在理論上變壓器是比較不會飽和, 但不代表不會飽和...
另一個例子: 選定一顆變壓器尺寸, 但是不想使用高規(guī)格MOS管, 所以需要降低VDS間的Peak-Peak, 但是要降低Peak, 則Snubber 需要壓很深, 二次測也不想使用高耐壓二極體, 因為VF會變大, 漏電流值也差, 所以我選用QR類IC做定週期變頻操作 ,讓他完全操作在CRM , 雖然效率會差一些, 但比完全DCM效率還來的好, Peak比CCM低非常多, 不過由於是變頻,所以變壓器的AE值要稍大一些..
所以總結(jié):
DCM : 變壓器不容易飽合 , 效率差 , 漣波高
CRM : 變壓器尺寸需略大於正常, 效率適中, 漣波適中
CCM : 變壓器容易飽合 , 效率高 , 漣波低
現(xiàn)在就看你怎麼選擇.................
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@juntion
兩天都沒人回答你,唉.....新手若看不懂就再去查資料....DCM定義為:輸入能量大於輸出能量CRM定義為:輸入能量等於輸出能量CCM定義為:輸出能量大於輸入能量其中DCM與CCM為頻率固定,週期控制,CRM為週期固定頻率控制正常以能量轉(zhuǎn)換而言,常見的就是PWM,與PFM兩種而PWM是最普遍也最成熟當設(shè)計交換式電源作為能量轉(zhuǎn)換,普遍的方式是在輕載到70%負載間以DCM模式操作,超過後進入CCM,此時效率會完全拉上來兩者差別於DCM因為能量不連續(xù),所以轉(zhuǎn)換效率差,且輸出連波較高,CCM為連續(xù)模式,所以轉(zhuǎn)換效率較高,漣波也較低..舉個例子,當你選定一個變壓器尺寸,而規(guī)格輸出功率較高,但這變壓器並無法符合輸出功率要求,理論上可以提高操作頻率,但是你又不想,因為EMI較難解, 但又怕變壓器飽和,所以就將鐵蕊間隙磨深一點,增加磁路長度,減低感量,如此一來則完全操作在DCM也可以達到輸出功率要求,但是效率很差,溫度變高...堪用....但是請注意,在理論上變壓器是比較不會飽和,但不代表不會飽和...另一個例子:選定一顆變壓器尺寸,但是不想使用高規(guī)格MOS管,所以需要降低VDS間的Peak-Peak,但是要降低Peak,則Snubber需要壓很深,二次測也不想使用高耐壓二極體,因為VF會變大,漏電流值也差,所以我選用QR類IC做定週期變頻操作 ,讓他完全操作在CRM,雖然效率會差一些,但比完全DCM效率還來的好,Peak比CCM低非常多,不過由於是變頻,所以變壓器的AE值要稍大一些..所以總結(jié):DCM :變壓器不容易飽合,效率差,漣波高CRM :變壓器尺寸需略大於正常,效率適中,漣波適中CCM :變壓器容易飽合,效率高,漣波低現(xiàn)在就看你怎麼選擇.................
感謝前輩耐心詳細的講解，我慢慢消化下
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@dxsmail
因為現(xiàn)在的IC都是比較專用的。DEMO板資料上面就有應(yīng)用。不包括TL494，UC384x系列等等的IC。這些IC都是應(yīng)用比較靈活的。。
現(xiàn)在的IC不是專用的, 只是把早期的38系列改變而已..............
38系列最陽春適合初學者入手, 除了QR以外, 任何IC都與38系列一樣, 可以在CCM, DCM, CRM工作, 差異點在於
1). 把啟動電流變小, 因此可以串連M歐姆級電阻, 減低電阻損耗, 省效率, 缺點是充電啟動慢
2). 把空載運用Burs Model(早期是線性降頻, 但會聽到異音)讓MOSFET可以完全ON
3). 增加LEB(Leading-edge Blanking)迴路, 讓CS端不會過度斜率補償產(chǎn)生負壓
4). 把FB輸入放大OP拿掉, 避免過度增益, 使電路難以控制閉迴路
5). 軟啟做在內(nèi)部了....
額外功能就是"抖頻(Jitter)".., 主要是避EMI, 但個人看法實質(zhì)是有限, 但對於新手會是, 抖頻, 不穩(wěn), 傻傻分不清楚.....
另一個是Valley Skip , 這主要是避音頻, 增加10%效率用..........
所以, PWM選擇除了上述1-5都是基本功能, 其他必須由AUX來判斷, 因此有看到這一篇的工程師, 記住, 除了QR以外, 任何PWM都具有DCM - CCM功能, 但是通常DCM時, 頻率降低, 越拉載頻率會越高, 直到達到額定頻率為止, 所以不要傻傻以為頻率達不到......
另外, 當進入額定頻率點時, 若高壓會保持在DCM, 低壓進入CCM效率最高, 但是不要為了省錢AE值硬操.......
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@juntion
現(xiàn)在的IC不是專用的,只是把早期的38系列改變而已..............38系列最陽春適合初學者入手,除了QR以外,任何IC都與38系列一樣,可以在CCM, DCM,CRM工作,差異點在於1).把啟動電流變小,因此可以串連M歐姆級電阻,減低電阻損耗,省效率,缺點是充電啟動慢2).把空載運用BursModel(早期是線性降頻,但會聽到異音)讓MOSFET可以完全ON3).增加LEB(Leading-edgeBlanking)迴路,讓CS端不會過度斜率補償產(chǎn)生負壓4).把FB輸入放大OP拿掉,避免過度增益,使電路難以控制閉迴路5).軟啟做在內(nèi)部了....額外功能就是"抖頻(Jitter)"..,主要是避EMI,但個人看法實質(zhì)是有限,但對於新手會是,抖頻,不穩(wěn),傻傻分不清楚.....另一個是ValleySkip,這主要是避音頻,增加10%效率用..........所以,PWM選擇除了上述1-5都是基本功能,其他必須由AUX來判斷,因此有看到這一篇的工程師,記住,除了QR以外,任何PWM都具有DCM-CCM功能,但是通常DCM時,頻率降低,越拉載頻率會越高,直到達到額定頻率為止,所以不要傻傻以為頻率達不到......另外,當進入額定頻率點時,若高壓會保持在DCM,低壓進入CCM效率最高,但是不要為了省錢AE值硬操.......
學習了
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