圖檔為C2M0080120D，想請教一些問題
1. 驅動管子是要看Vgs_th ，而Vgs_max是指我最大可驅動電壓嗎?是否只要超過Vgs_th就可驅動呢?若是可以，那驅動信號的大小有何影響?
2. 了解Vgs_th為負溫度系數，那是否要防止管子在高溫關斷期間，因雜訊造成突波使MOS再次打開?
3. MOS由 turn ON 轉 turn OFF時，驅動信號Vgs要多少時才算是關斷?
謝謝各位大神
三極管Vgs_th 與 Vgs 差異
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@lihui710884923
小于開啟電壓mos管就是關斷狀態，大于這個就導通了
Vgs_th = Gate Threshold Voltage, 指的是當一個電壓施加於G-S時, D-S開始通道形成, Spec 上的最大與最小值, 只供參考, 你必須在看一下
"Vth Vs RDSon" 曲線, 知道通道完全形成時電壓, 所謂完全形成是規格上標示如50mR , 在到達50mR時的電壓, 驅動只能高不能低.......
VGSmax = 指的是施加於G-S的電壓最高點
VGSop = 指的是建議操作電壓, 在你的驅動端若超過或有峰值, 你就必須用穩壓管進行箝位, 超過MOSFET 會擊穿, 而雜訊問題, 通常是Layout 所引起的, 通常在MOSFET G角有一個10K落地, 產生低阻, 再加上Ciss電容效應, 要讓MOSFET誤觸發機率不高, 至於Mosfet 關斷, 試看你的操作頻率, 通常驅動端
Low Active 不會超過1V, 而以你的Spec 最低電壓2V來看,低於2V就關斷, 不會有問題......
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@juntion
Vgs_th= GateThresholdVoltage,指的是當一個電壓施加於G-S時,D-S開始通道形成,Spec上的最大與最小值,只供參考,你必須在看一下"VthVsRDSon"曲線,知道通道完全形成時電壓,所謂完全形成是規格上標示如50mR,在到達50mR時的電壓,驅動只能高不能低.......VGSmax=指的是施加於G-S的電壓最高點VGSop=指的是建議操作電壓,在你的驅動端若超過或有峰值,你就必須用穩壓管進行箝位,超過MOSFET會擊穿,而雜訊問題,通常是Layout所引起的,通常在MOSFETG角有一個10K落地,產生低阻,再加上Ciss電容效應,要讓MOSFET誤觸發機率不高,至於Mosfet關斷,試看你的操作頻率,通常驅動端LowActive不會超過1V,而以你的Spec最低電壓2V來看,低於2V就關斷,不會有問題......
謝謝您
很清楚的解說
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