驅動電路不對，Q1開通有問題。

謝謝版主的建議，我查出原因是 Q1 C極 接錯了，所以造成此問題。

但新的問題來了，如何解決 突刺 問題。

麻煩大神們幫忙給意見。

我發現可能是 Q1 在進行開關時，產生的突刺，

請問各位大神們，一般怎麼解決？

(紅色為輸出電壓，黃色為Q1開關)

將電路改成下圖:

原因是你用穩壓管來限制P-MOSFET 的閘極電壓不要超過VGS(因為你輸入27V)

但在穩壓管導通要打開P-MOSFET時速度不過快, 以下圖, PNP電晶體C極串接12V穩壓管

當PNP導通時, P-MOSFET Low Active 為27V - 12V = 15V, 且因電晶體瞬間飽和

會加速P-MOSFET 導通, Hight Active 後, 由NPN迅速放電, 這樣不但效率高, 也不會Over Spec

 這才是好的設計....

謝謝你的幫忙，我先試試看看。

好像還是一樣，只是突波比較歸率。

我沒有 1uf 50V 改用 4.7uF 100V，這有關系嗎？

不錯, 這樣才是正確波形, 因為你是27轉24所以ton會較小, 這樣效率會很高

再來方法是

1). 檢查你的操作頻率, 因為你把電晶體C1與C2並連使用, 所以頻率應該滿低的, 將頻率拉到100K以上看看

2). 輸出端用拍型濾波(上圖)或共模濾波(下圖)把輸出高頻尖波率掉, 電感值幾十uH就夠, 抽載到滿載時, 若漣波高, 加大電解電容

不好意思，問一個笨問題，

改頻率因該是改 C4 & R5，

C4 = 1000pf 

R5 = 10K

1 / ( 1000 * 10 ) = 100Khz，

這樣子對嗎？

頻率加到100K好像還是一樣沒變化，

是不是因為我這樣的線路，才會有這麼大的突波？

有沒有其他更好的建議方法？

Sorry 我看錯你的問題，

我剛才發現，原來「頻率」變化不大

由阻由39k換成10k，結果

頻率由 30khz -> 51khz

看來不是線性，我電容變小沒改變頻率。

我量測了Q1的G極，發現在啟動 P5504EVG ( P-MOS)時，

都會有一個抖動，導至電壓有突波。

黃色：Q1的G極

紅色：輸出電壓

如果是波形晃動, 那就是回受補償引起的, 2 - 3腳在並一個幾百P電容, 若是波形很穩定(在示波器上看到的, 記的調整觸發位準) 

而上或下有Ring , 通常是地線引起的, 或是輸出路徑不是經過電容, 可以割線看看, 在不然拍型濾波加下去吧...

再另一點, +27V對地要有一顆輸入電解電容, 越靠近MOSFET_D與飛輪二極體D1的地越好

剛剛看了你的線路, D1要用蕭特基二極體, 如SK34, 不可以用1N4148, 耐流不夠..

好的，謝謝~

我也懷疑過是2-3回受補償引起，但不知道怎麼調整，

有把R3調大，或調小都沒什麼區別

修改后的線路，在麻煩你幫忙看看有什麼不好的設計

我斷開TL494和MOS后端所有零件，

只量測TL494輸出，這樣子輸出波型是對的嗎？

Low 時，波型這樣子是對的嗎？

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一次跟你講清楚好了...

上面的波形表示Low Avtive 是被反向, 因此你必須要再反向一次

如圖

記住1uf/50V這個電容一定要加, 因為2N3906箝位必須一個較穩定的電壓, 反向過後, Low Active 會變大, 開機必須加Soft Start

如圖

你那電路圖電容未至不對, 移到輸出端..

如果你這是存實驗, 那還好, 如果是要量產你在往下看:

1). 電感材質選用:  不要用工型的Core(DR core) , 這種效率差, 選用環形較好, 常用的有幾種

     外觀黃色邊緣白色=> IRON Power Core 含鐵量少, 漏磁較大, 但便宜, 效率較差

     外觀Cotting 成黑色(不是做EMI用的那種) Cool-u , 含鐵量較高, 貴一點, 效率較好

     外觀灰色或深藍色 MPP 你們那稱鐵圭鋁, 含鐵量更高, 更貴, 效率更好

2). 計算你二極體的耐流 : 假設輸出要到3A 則, 佔空比 24/27 =0.88, 你的MOSFET ON時會開到88%, 二極體只有1-0.88= 12%

    意思是88%電流往MOSFET 流, 12%則往二極體流 所以二極體=3A*0.12 = 0.36 , 方波電流高點為根號三, 所以二極體Imax=0.36*1.73

    =0.623 , 抓一倍以上用2A/40V二極體

    MOSFET = 0.88*3=2.64   Imax=2.64*1.73=4.56 抓一倍使用至少9A的MOSFET 管

3). 電感最小感量 Lmin 約略值 也就是電感能儲存能量最小值

    P=1/2 * I^2 * f * L   L= 2P / i^*f  24V*3A為72W  2倍P =144

    I=3A   I^2 = 9  f(操作頻率)=100Khz

    L=144/ 9 * 100 *10^3 = 0.16*10^-3 = 0.16mH =160uH 電感最小值, 可大不可以小

你誤會我的意思了，我明白要反向，

我指的low，這樣不是平行電壓是正確的嗎？

還有你指的是那一個電容？

你那電路圖電容未至不對, 移到輸出端？

不好意思，第一次摸這電源的東西，

很想把他搞清楚。

1.你那個Low的波形, ( 把P-MOSFET 拆掉)如果是在494的Pin8,11 量到的, 或是在MOS_G極那裡量到的那就要反向, 因為你是推P-mosfet, 在沒回授下, Low時間要比Hight 周期還寬

2. 你昨晚畫好那張圖EC1不能跟D2並聯, 要跟EC1並聯

2. 你昨晚畫好那張圖EC1不能跟D2並聯, 要跟EC1並聯 ???

與EC1並聯？