為什么InnoSwitch-CH在SR FET上并聯肖特基二極管會提升效率?以INN2023K設計的10 W恒壓/恒流USB充電器為例子,實驗采用了沒有并聯肖特基二極管和并聯肖特基二極管兩種測試,可以看到效率在并聯肖特基二極管時候明顯提升了,這是什么原因?是不是設計時候在SR FET上都最好并聯上肖特基二極管,但是我看參考設計上都沒有這個二極管啊,怎么回事?可加可不加么?