從波形上看，波形上有尖峰的負(fù)電壓。

至少可以證明，你的電壓探頭被干擾了。

采用測(cè)量紋波電壓的方式（彈簧探頭，或者去掉探頭夾子，用針尖和針尖旁邊的“地”點(diǎn)到DS引腳測(cè)試），測(cè)試下 DS直接電壓，更新圖片再分析，

如果尖峰還是較高，可以在D腳上串聯(lián)1個(gè)小磁珠抑制電壓尖峰，還可以講驅(qū)動(dòng)電阻更新為33Ω左右。

摘掉探頭帽重試了一下，低臂D極是沒(méi)有負(fù)尖峰的，但是G極受震蕩干擾確實(shí)有負(fù)尖峰，下面是低臂D級(jí)波形(20V 0.9A輸入)：

由于電路要跑到8A，所以串磁珠可能不太好使

要工作到8A，那么電感電流肯定是連續(xù)的，關(guān)斷的時(shí)候電流很大，再要減小尖峰只能從MOSFET的DS之間串聯(lián)RC或者RCD的吸收了。

硬開關(guān)的工作，會(huì)產(chǎn)生尖峰，是正常的。

還可以在Q1-D和Q2-S之間放上一個(gè)薄膜電容（類似金屬化聚丙烯電容），1uF或者2.2uF，提供尖峰電壓吸收作用。

      注：現(xiàn)金紅包僅限當(dāng)日領(lǐng)取

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電流是連續(xù)的，然而尖峰發(fā)生在Q1導(dǎo)通瞬間，MOS關(guān)斷時(shí)沒(méi)有明顯尖峰。您兩個(gè)方法我都試了(RC吸收用22R,100nF)，尖峰會(huì)矮那么一丁點(diǎn)但還是超過(guò)輸入的2倍。這個(gè)尖峰帶來(lái)的最嚴(yán)重問(wèn)題是干擾G極波形(見(jiàn)上面低臂G極波形的負(fù)尖峰)，燒前面的驅(qū)動(dòng)芯片和CPU，我已燒了兩塊CPU

MOS寄生二極管的恢復(fù)時(shí)間和結(jié)電容很可能是影響尖峰的關(guān)鍵因素，以前看到一個(gè)帖子說(shuō)RC吸收反而使波形變壞我也遇到過(guò)

我覺(jué)得肯定有解決之道，否則全橋逆變就沒(méi)法做了，那個(gè)輸入電壓可是接近400V的

下管Q2應(yīng)該是提前關(guān)斷的吧，關(guān)斷了后，并聯(lián)Q2的二極管D6續(xù)流。

可以試試D6和D2用肖特基管3個(gè)200V的串聯(lián)，看看是否因?yàn)槎O管的特性問(wèn)題造成的。

對(duì)，一般來(lái)說(shuō)Q2肯定要提前關(guān)斷的，這就是死區(qū)的目的。我試過(guò)縮小死區(qū)以短時(shí)間直通為代價(jià)確實(shí)可以消除尖峰，但這不是辦法。D2和D6是我為了增強(qiáng)死區(qū)續(xù)流能力而添加的，一般是不需要的(寄生二極管可以續(xù)流)，我也沒(méi)看別人這么用過(guò)，但去掉D2和D6也不能改善尖峰

這問(wèn)題困擾我許久，再等一天解決不了我就去花錢請(qǐng)老師了。一樓的失敗的PCB我還剩幾塊，誰(shuí)要的話我可以免費(fèi)奉送，不過(guò)應(yīng)該不可能有人要吧

我瞎猜一下，

下管續(xù)流的時(shí)候，Q1打開，電感的電流減小變成增加，D6還要反向恢復(fù)時(shí)間，這個(gè)瞬間Q1未完全打開，和D2并沒(méi)有把電感續(xù)流的這個(gè)電流充到Vin里面去。

導(dǎo)致這個(gè)尖峰很高。

如果尖峰是由于D2的速度不夠快？應(yīng)該在D2上并聯(lián)RC會(huì)有點(diǎn)效果的。

或者在Q1-D和Q2-S上增加吸收電容，會(huì)有效果。

又按您的方法在D2上并聯(lián)RC試了一下，還是沒(méi)用。Q1-D和Q2-S上接CBB電容前天試了，Q2-D波形會(huì)變平，但尖峰基本沒(méi)受影響。在這個(gè)電路上各種怪招我都試過(guò)，有人說(shuō)尖峰是VM寄生電感引起，我試過(guò)在Q1-S和Q2-D上接CBB電容，沒(méi)用

準(zhǔn)備找老師去，若能解決再來(lái)分享解決方案

有幾個(gè)問(wèn)題需要搞清楚一下：

1輸入電源是怎么來(lái)的，測(cè)試輸入波形了沒(méi)？

2輸出加電感的目的是為了什么？

3為了消除mos的寄生電感電容的影響，用二極管和電容哪個(gè)比較合適？

4TVS是吸收瞬間能量的，用在此處是否合適？設(shè)計(jì)應(yīng)用場(chǎng)合如何？車載還是工業(yè)，消費(fèi)類？

5 60khz高頻下，開關(guān)頻率對(duì)mos性能有何影響，遲滯和反應(yīng)時(shí)間需要如何處理？

我也遇到過(guò)類似的問(wèn)題，在低端MOS的VGS信號(hào)關(guān)閉后，又有一個(gè)干擾突起，MOS管的米勒效應(yīng)。

改善的方法：

1，在驅(qū)動(dòng)電路里加有源鉗位電路，應(yīng)該是最有效的方案；

2，增加上管柵極驅(qū)動(dòng)電阻，減緩上管導(dǎo)通速度（會(huì)降低效率，因此需要折中考慮）；

3，在MOS管的G與S端并電容，吸收掉一些米勒效應(yīng)的沖擊（同樣減緩開關(guān)速度，會(huì)降低效率，因此需要折中考慮）；

4，加RDC吸收網(wǎng)絡(luò)；

R2,R3用1M的電阻?

我只想知道是不是真的

D1,D4方向不對(duì)

D2，D6可以不要

R2，R3太大

D8, D9普通穩(wěn)壓管， 15V就好

幾天沒(méi)來(lái)多了那么多回復(fù)，非常感謝大家

其實(shí)這是一個(gè)很經(jīng)典的問(wèn)題，我在另一個(gè)電源網(wǎng)上看了一堆大師的分析，總的來(lái)說(shuō)這個(gè)問(wèn)題非常棘手，特別是電壓高電流大時(shí)，尖峰的原因和解決方法不是一兩句能說(shuō)清楚的

現(xiàn)在正在打一塊新的測(cè)試板，有結(jié)果了再來(lái)發(fā)帖

我有類似產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)，電壓不高，但電流是幾十安的，也沒(méi)有這樣的波形