基站直流電源浪涌防護解決方案，如圖 所示。該方案中的第一級雷擊電流瀉放采用單獨的堆疊式GDT替代傳統的 GDT 與 MOV 串聯，與第二級防護 MOV 之間的耦合可以根據客戶的具體應用采用電感或電阻來實現。此方案，可以在更小占板面積下，實現高達 20KA 的 8/20us 雷擊電流防護。
隨著客戶對于直流電源防護能力、防護方案的尺寸、以及性價比要求的提高，傳統的 GDT 加 MOV 的保護解決方案暴露出其占板面積大、多元器件并聯、成本高以及高保護殘壓等不足。而基于浪拓電子新型堆疊 GDT 的方案則因其具有以下優勢：
1）緊湊的堆疊 GDT，長度 B<17mm， 高度 H<9mm，實現 20KA 的 8/20us 防護能力
2）直接應用于直流電源，無續流問題，無需 MOV 串聯
3）高絕緣電阻，低電容
4）與多個 MOV 并聯解決方案相比，相同的保護能力，其高度降低 50%， PCB 占板面積節省超過 40%
不存在不同并聯支路間不平衡電流的問題
由于多級堆疊 GDT 由于其擁有以上諸多優點，使得它理想適用于各種 48-72Vdc 直流電源的雷擊浪涌防護。
