IGBT RC吸收電路
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@zhangyiping
其實(shí),也就是1這么簡單了,兩個(gè)管子吸收,其實(shí),是四個(gè)了,四個(gè)管子都RC吸收器了,同時(shí)作用,即上下兩個(gè)管子都形成RC吸收了,就好像諧振電容一個(gè)或者上下兩個(gè)就是兩個(gè)相加了,這里是一個(gè)道理的,就是一個(gè)管子是一半?yún)?shù)了,非常好理解的東西了,就是這么簡單的一回事了,沒有什么奇怪的,是公共的呀,都是降低了電壓變化率了,效果與四個(gè)全部盡管這里兩個(gè)是完全一樣的,沒有任何不同。
能請教一下RC的參數(shù)選擇嗎?就是R、C值的大小。
假設(shè)IGBT的CE間正常導(dǎo)通時(shí),電壓為70V,電流為10A,應(yīng)怎樣選?
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@zhangyiping
其實(shí),也就是1這么簡單了,兩個(gè)管子吸收,其實(shí),是四個(gè)了,四個(gè)管子都RC吸收器了,同時(shí)作用,即上下兩個(gè)管子都形成RC吸收了,就好像諧振電容一個(gè)或者上下兩個(gè)就是兩個(gè)相加了,這里是一個(gè)道理的,就是一個(gè)管子是一半?yún)?shù)了,非常好理解的東西了,就是這么簡單的一回事了,沒有什么奇怪的,是公共的呀,都是降低了電壓變化率了,效果與四個(gè)全部盡管這里兩個(gè)是完全一樣的,沒有任何不同。
能請教一下RC的參數(shù)選擇嗎?就是R、C值的大小。
假設(shè)IGBT的CE間正常導(dǎo)通時(shí),電壓為560V,電流為100A,應(yīng)怎樣選?
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