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產品EMI還是不過,想動變壓器,高手移步指點下

手上有個案子,90V-265Vac輸入,5Vdc-12A多USB輸出,產品老化溫度高,常溫下高壓MOS 125度,變壓器118度,超標了. EMI測試效果也不盡人意(效果詳見附件圖)。綜合總體情況評估應該是變壓器沒設計好,所以在此征集各位高手建議,幫忙看看要怎么修改,附上原理圖、變壓器繞線。還望個各位不吝賜教!謝謝

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經過兩天的大家積極的解答,總的來說還是變壓器和MOS問題,用平面MOS EMI 是OK的,但是溫升又是一旦難題,所以還是希望大家給出變壓器的整改意見!謝謝~!


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2016-01-25 12:39
輸出是否有共模電感,可以試試改輸出共模電感。
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xiecaijin
LV.2
3
2016-01-25 13:38
@417zhouge
輸出是否有共模電感,可以試試改輸出共模電感。
輸出板面限制,加上是6USB輸出。所以沒有放地共模電感!
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假專家
LV.3
4
2016-01-25 14:41
@xiecaijin
輸出板面限制,加上是6USB輸出。所以沒有放地共模電感!
從輻射的波形上看加共模也解決不了150-200M頻段超標的問題(需要調整一下變壓器繞線方式),當然和你的PCB布局有一定的關聯,變壓器溫度也高,這個案子基本可以判定FAIL了,需要重新開始,變壓器至少在40度環境下測試滿足105才能說是正常范圍(90VAC輸入),變壓器可以選擇PQ2620 初級36 次級3T 電感量600-650uH之間是比較合理,輸出銅箔整流可以用MPS6901 6902都可以。輻射這一塊需要注意PCB布局
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2016-01-25 14:49
LZ 這是用的哪家的方案?
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443233785
LV.6
6
2016-01-25 17:04

以下三個思路,望對樓主有用:

1.加大MOS散熱面積  2..R17用47R,R18用0R ;/D7二極管恢復時間用快一點的

2..變壓器溫度高,初級改成0.3*2的漆包線,輻射問題,N2改成線屏蔽 

3..調整Y電容走線

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hh918
LV.6
7
2016-01-25 17:24
@443233785
以下三個思路,望對樓主有用:1.加大MOS散熱面積 2..R17用47R,R18用0R;/D7二極管恢復時間用快一點的2..變壓器溫度高,初級改成0.3*2的漆包線,輻射問題,N2改成線屏蔽 3..調整Y電容走線
溫度那么高效率是多少?
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xiecaijin
LV.2
8
2016-01-25 20:06
@假專家
從輻射的波形上看加共模也解決不了150-200M頻段超標的問題(需要調整一下變壓器繞線方式),當然和你的PCB布局有一定的關聯,變壓器溫度也高,這個案子基本可以判定FAIL了,需要重新開始,變壓器至少在40度環境下測試滿足105才能說是正常范圍(90VAC輸入),變壓器可以選擇PQ2620初級36次級3T電感量600-650uH之間是比較合理,輸出銅箔整流可以用MPS69016902都可以。輻射這一塊需要注意PCB布局
修改變壓器事小,要大動板就麻煩了,現在變壓器用的是PQ3220了,不知您建議的“ 初級36 次級3T 電感量600-650uH之間”要怎么個繞法對輻射和溫升好,還望指點。現在后端用的是MPS的6902同步整流,效率不是很高,90V-87.2%  264-88.7%。
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xiecaijin
LV.2
9
2016-01-25 20:08
@443233785
以下三個思路,望對樓主有用:1.加大MOS散熱面積 2..R17用47R,R18用0R;/D7二極管恢復時間用快一點的2..變壓器溫度高,初級改成0.3*2的漆包線,輻射問題,N2改成線屏蔽 3..調整Y電容走線
謝謝你的關注:MOS驅動電阻R17改47R有試過,沒什么效果。R18放電電阻改0R沒有試過哎,放0R可以嗎?
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xiecaijin
LV.2
10
2016-01-25 20:08
@443233785
以下三個思路,望對樓主有用:1.加大MOS散熱面積 2..R17用47R,R18用0R;/D7二極管恢復時間用快一點的2..變壓器溫度高,初級改成0.3*2的漆包線,輻射問題,N2改成線屏蔽 3..調整Y電容走線
謝謝你的關注:MOS驅動電阻R17改47R有試過,沒什么效果。R18放電電阻改0R沒有試過哎,放0R可以嗎?
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hwx-555
LV.8
11
2016-01-26 08:12
N7移動N3與N4之間
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2016-01-26 10:01
加個頭條,大家一起來幫幫樓主哦
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mht820413
LV.6
13
2016-01-26 10:25
@電源網-fqd
加個頭條,大家一起來幫幫樓主哦

判斷為開關過快引起的。

1 Vds加  10-100PF/1000V電容。

2 改動驅動電路。

3 VCC電壓做到11-14V。

4 外置MOS的話D腳可以接磁珠。

5搞變壓器吧,共模搞搞。還不行找IC廠家搞吧,還不行換方案吧,前提是你PCB搞的也沒有問題。

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xiecaijin
LV.2
14
2016-01-26 10:56
@mht820413
判斷為開關過快引起的。1Vds加 10-100PF/1000V電容。2改動驅動電路。3VCC電壓做到11-14V。4外置MOS的話D腳可以接磁珠。5搞變壓器吧,共模搞搞。還不行找IC廠家搞吧,還不行換方案吧,前提是你PCB搞的也沒有問題。
謝謝你的關注,正愁變壓器要怎么改呢?
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xiecaijin
LV.2
15
2016-01-26 10:56
@電源網-fqd
加個頭條,大家一起來幫幫樓主哦
謝謝司令!
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假專家
LV.3
16
2016-01-26 13:31
@xiecaijin
謝謝司令!
不是驅動引起的,DS之間加電容,應該能解決,但是會損失很大一部分效率,把PCB圖放上來
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Rachelmi
LV.9
17
2016-01-26 13:44
@假專家
不是驅動引起的,DS之間加電容,應該能解決,但是會損失很大一部分效率,把PCB圖放上來
對呀 ,還行
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liu_yaer
LV.6
18
2016-01-26 15:14
@Rachelmi
對呀,還行
HFC0500+MP6902 5V12A: 改變壓器為主,MPS有5V-10A的變壓器參考繞法可以試試,次級同步整流換顆MOS試試,PDP4960:40V 3.8毫歐 150A(我司有),MP6902一定要注意放在VSS-PGND主環路之外,否則Vg和Vd會受到影響導致Vgs波形異常,效率低,海翼有給ANKER用MP6901做過一款5V-12A,MP6902 EN腳可懸空,比MP6901多了空載休眠模式,空載電流小于300uA,非常適用于超低功耗,并兼容全球能效標準。
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Rachelmi
LV.9
19
2016-01-26 15:41
@liu_yaer
HFC0500+MP69025V12A:改變壓器為主,MPS有5V-10A的變壓器參考繞法可以試試,次級同步整流換顆MOS試試,PDP4960:40V3.8毫歐150A(我司有),MP6902一定要注意放在VSS-PGND主環路之外,否則Vg和Vd會受到影響導致Vgs波形異常,效率低,海翼有給ANKER用MP6901做過一款5V-12A,MP6902EN腳可懸空,比MP6901多了空載休眠模式,空載電流小于300uA,非常適用于超低功耗,并兼容全球能效標準。

有道理

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xiecaijin
LV.2
20
2016-01-26 16:06
@liu_yaer
HFC0500+MP69025V12A:改變壓器為主,MPS有5V-10A的變壓器參考繞法可以試試,次級同步整流換顆MOS試試,PDP4960:40V3.8毫歐150A(我司有),MP6902一定要注意放在VSS-PGND主環路之外,否則Vg和Vd會受到影響導致Vgs波形異常,效率低,海翼有給ANKER用MP6901做過一款5V-12A,MP6902EN腳可懸空,比MP6901多了空載休眠模式,空載電流小于300uA,非常適用于超低功耗,并兼容全球能效標準。

變壓器就是MPS工程提供的,現在他們自己都解決不了!

PS:我用的是11N65的COOL MOS

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hwx-555
LV.8
21
2016-01-26 16:29
@xiecaijin
變壓器就是MPS工程提供的,現在他們自己都解決不了!PS:我用的是11N65的COOLMOS
N7這個次級你弄到后面繞,前面加了屏蔽也沒多大用處
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liu_yaer
LV.6
22
2016-01-26 17:09
@xiecaijin
變壓器就是MPS工程提供的,現在他們自己都解決不了!PS:我用的是11N65的COOLMOS
盡量用普通MOS,我司有10N65的,COOL Qg很大吧,變壓器試一試次級反打
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覃工2008
LV.2
23
2016-01-26 17:48
@假專家
從輻射的波形上看加共模也解決不了150-200M頻段超標的問題(需要調整一下變壓器繞線方式),當然和你的PCB布局有一定的關聯,變壓器溫度也高,這個案子基本可以判定FAIL了,需要重新開始,變壓器至少在40度環境下測試滿足105才能說是正常范圍(90VAC輸入),變壓器可以選擇PQ2620初級36次級3T電感量600-650uH之間是比較合理,輸出銅箔整流可以用MPS69016902都可以。輻射這一塊需要注意PCB布局

變壓器NP/NS=75/6,    36/3=75/6,這位兄臺的扎比可以拭一下,用初次初屏蔽反饋的層次方法繞,調試磁芯外層加屏蔽試試,這沒有一定的算法,加大共差模X電容,減小驅動,調低頻率。關鍵你這個變壓器我不明拍為什么分這么多層,藕合性會下降很多,VCC電壓要控制在11-15V內。VCC供電用慢管,75nS-以上的。

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chuangmao
LV.7
24
2016-01-26 17:54
@xiecaijin
變壓器就是MPS工程提供的,現在他們自己都解決不了!PS:我用的是11N65的COOLMOS
我做了在一個5V12A的,過了CE和FCC認證,如果你用COOL MOS和現在的變壓器參數,EMC和溫升一定過不了。改用常規MOS NDF10N60ZG(安森美的),變壓器銅線線徑加粗,再配合其他整改,過EMC問題不大。
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xiecaijin
LV.2
25
2016-01-26 18:28
@chuangmao
我做了在一個5V12A的,過了CE和FCC認證,如果你用COOLMOS和現在的變壓器參數,EMC和溫升一定過不了。改用常規MOSNDF10N60ZG(安森美的),變壓器銅線線徑加粗,再配合其他整改,過EMC問題不大。

10N65就可以啊,我之前普通MOS用到20N溫度也下不來!

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2016-01-27 08:33
@xiecaijin
10N65就可以啊[圖片],我之前普通MOS用到20N溫度也下不來!
兄弟,我認為你還是先的解決熱問題,在結構與元件選型上下,這樣的溫度就算EMI解決了,也無法生產了。
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Rachelmi
LV.9
27
2016-01-27 09:47
@anhui8290759
兄弟,我認為你還是先的解決熱問題,在結構與元件選型上下,這樣的溫度就算EMI解決了,也無法生產了。
怎么會出現這種問題呢,好奇
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wt.liu
LV.5
28
2016-01-27 14:15
開關頻率是多少?降低開關頻率可以減小開關損壞。
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liu_yaer
LV.6
29
2016-01-27 15:35
@wt.liu
開關頻率是多少?降低開關頻率可以減小開關損壞。
65K  開關損耗不大
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chuangmao
LV.7
30
2016-02-15 15:14
@xiecaijin
10N65就可以啊[圖片],我之前普通MOS用到20N溫度也下不來!
滿載低壓端效率在85%,高壓端在86%,最大功耗10W的樣子,溫度不會很高。關健是要用合適的同步MOS管和變壓器參數調整,安森美的這個MOS,對EMC有很大幫助。
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mazongjun
LV.1
31
2016-02-16 14:55
學習了
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