關于MOS VDS尖峰請教!
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@guduyuanyuai
C1:222 R53/R55100R
我確實是不上QQ,有電子郵箱就可以了,原來,是反激的,怎么低電壓反激,通常推挽的,要知道,低電壓的而且,輸出才12伏,這么低電壓的的漏電感一定非常非常的大了,首先,就是漏電感引起的,這樣做的效率也一定非常的低了,即開關管存在的環流也非常大,管子會發熱的,反壓也非常高了,就是這里出現的尖峰電壓非常高的由來了,那么,應當怎么做的呢,首先,就是必須減小漏電感了,變壓器初級多少匝數,一層正好繞下去,二層次級,也是一層正好,一層一層單數初級,雙數次級,一概這個直到繞滿,一概初級次級分別的并聯,但是,這樣削不注意匝數搞錯就不行了, 即不是什么三明治了,而是非常多明治了,這樣的漏電感一定非常小了,也就不存在尖峰電壓,環流問題,效率也一下子就提高了,即漏電感必須減小的,否則,就是出現這種情況了。
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@zhangyiping
我確實是不上QQ,有電子郵箱就可以了,原來,是反激的,怎么低電壓反激,通常推挽的,要知道,低電壓的而且,輸出才12伏,這么低電壓的的漏電感一定非常非常的大了,首先,就是漏電感引起的,這樣做的效率也一定非常的低了,即開關管存在的環流也非常大,管子會發熱的,反壓也非常高了,就是這里出現的尖峰電壓非常高的由來了,那么,應當怎么做的呢,首先,就是必須減小漏電感了,變壓器初級多少匝數,一層正好繞下去,二層次級,也是一層正好,一層一層單數初級,雙數次級,一概這個直到繞滿,一概初級次級分別的并聯,但是,這樣削不注意匝數搞錯就不行了, 即不是什么三明治了,而是非常多明治了,這樣的漏電感一定非常小了,也就不存在尖峰電壓,環流問題,效率也一下子就提高了,即漏電感必須減小的,否則,就是出現這種情況了。
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@guduyuanyuai
不懂哎,幫忙改改~!發出去打樣再試試!~
其實,這個非常好理解的嗎,就是多多明治,其實,我九十年代末那時都是硬開關,移相的還很少,聽說清華大學的那一幫人做開關電源就是搞了這個花招,據說連RC吸收器也可以不要了,老早就有人知道這個辦法了,二十年前就有人知道這樣的漏電感非常小了,但20年前我還沒有干電源呢。
其實,也就是這么簡單,就是搞了一層初一層次級,好多層,一排就是頭尾端了,然后一概并聯,這樣的漏電感非常小了,所以,吸收器也可以不要了,就沒有什么峰值電壓,否則一定要加吸收器,漏電感越大的吸收器也必須越大,否則,要爆管的,這個其實也就是這么簡單了,也好理解的東西。
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@zhangyiping
其實,這個非常好理解的嗎,就是多多明治,其實,我九十年代末那時都是硬開關,移相的還很少,聽說清華大學的那一幫人做開關電源就是搞了這個花招,據說連RC吸收器也可以不要了,老早就有人知道這個辦法了,二十年前就有人知道這樣的漏電感非常小了,但20年前我還沒有干電源呢。 其實,也就是這么簡單,就是搞了一層初一層次級,好多層,一排就是頭尾端了,然后一概并聯,這樣的漏電感非常小了,所以,吸收器也可以不要了,就沒有什么峰值電壓,否則一定要加吸收器,漏電感越大的吸收器也必須越大,否則,要爆管的,這個其實也就是這么簡單了,也好理解的東西。
理解繞法,不解變壓器參數要怎么設計啊
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@zhangyiping
頂
變壓器的參數確實有書本資料,看看一些,開關電源叢書都有介紹,我推薦簡單的計算方法,以220伏最低直流是230伏,最大占空比是0,3,峰值電流,頻率,就是電感=230*0,3/峰值電流*頻率=,,,,注意,頻率選擇兆赫,如68千赫就是0,068,匝數怎么計算,指初級=【電感值*峰值電流*10/磁芯中間面積*特斯拉,,說明一下,電感采用哼單位,即100微哼就是負六次方哼,就是0,0001哼,下面,面積采用厘米單位,,特斯拉單位,比如,一特斯拉=10000高斯,如1200高斯就是0,12特斯拉了,當然,線談到這里,還有不明白的下一帖提問。
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@zhangyiping
我確實是不上QQ,有電子郵箱就可以了,原來,是反激的,怎么低電壓反激,通常推挽的,要知道,低電壓的而且,輸出才12伏,這么低電壓的的漏電感一定非常非常的大了,首先,就是漏電感引起的,這樣做的效率也一定非常的低了,即開關管存在的環流也非常大,管子會發熱的,反壓也非常高了,就是這里出現的尖峰電壓非常高的由來了,那么,應當怎么做的呢,首先,就是必須減小漏電感了,變壓器初級多少匝數,一層正好繞下去,二層次級,也是一層正好,一層一層單數初級,雙數次級,一概這個直到繞滿,一概初級次級分別的并聯,但是,這樣削不注意匝數搞錯就不行了, 即不是什么三明治了,而是非常多明治了,這樣的漏電感一定非常小了,也就不存在尖峰電壓,環流問題,效率也一下子就提高了,即漏電感必須減小的,否則,就是出現這種情況了。
借貼問一下張大師,聽你的意思這種電源通常要用推挽的,如果沒搞過推挽用半橋行嗎?印象中半橋的磁偏問題比較容易處理
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