求教線包溫度高的問題，
為什么反激式電源在264V輸入時線包溫升最高，當264V輸入時Irms最小，那線包溫升應該最低啊，當100V輸入時Ton時間大，MOS導通損耗較大，所以MOS溫度高好理解，那100V輸入時明顯Irms最大，為什么線包溫度低呢？求解
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@417zhouge
264的時候124℃，這個情況要不就把變壓器的熱導出去，要不就要采用多股細線來做初級和次級。高壓的時候，占空比小，峰值電流大，對應漆包線的肌膚深度不同，不知道是不是這個原因。還有一個是磁通的問題，高壓應該在DCM模式的，看看低壓的時候是不是在CCM模式，磁通的擺幅也會造成磁芯損耗加大。
嗯，80℃環境溫度，線包124℃還是能接受的，只是不知道為什么在高壓線包會高一點，高壓時，Ton小，Ipk值不變吧？高低壓Ipk都是一樣才對，Irms才是低壓時大，高壓時小吧？ 應該不會是CCM，如果進入CCM那工作的不正常了，只有可能在低壓100V，設計匝比太大，Ton大于0.5，而芯片限制占空比為0.5，這時候才有可能進入CCM，其他正常工作都是BCM-DCM。下面是原理圖，看是否可以參考一下
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@huangchaolong11
嗯，80℃環境溫度，線包124℃還是能接受的，只是不知道為什么在高壓線包會高一點，高壓時，Ton小，Ipk值不變吧？高低壓Ipk都是一樣才對，Irms才是低壓時大，高壓時小吧？ 應該不會是CCM，如果進入CCM那工作的不正常了，只有可能在低壓100V，設計匝比太大，Ton大于0.5，而芯片限制占空比為0.5，這時候才有可能進入CCM，其他正常工作都是BCM-DCM。下面是原理圖，看是否可以參考一下 [圖片]
不太會解釋那些名詞一類的東西，Ipk是一樣的，你現在的情況應該都是在DCM吧。剩下的差異就在磁通變化速度的差異了。
可以看下MOSFET的電流波形。高壓時與低壓時是不是有寄生振蕩影響較大。
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