好長時間沒做電源了，最近換了個工作，一個5V10A的電源，紋波如圖，我怎么抑制都沒有很好的壓下尖刺；

1. 輸出換電容， PI型濾波 ，最后加了個T12的共模綠環，輸出并接PF  nF級別的電容，更換Y1電容， 稍微有效果的就是 T12的綠環可以壓一些峰值雜波下來。

2. MOS的DS 并接56--100pF/1KV的電容， 可以有些效果，  變壓器外包屏蔽可以有些效果，RCD吸收調整，輸出二極管RC調整也進行了，沒很好的效果。

3. 最后修改MOS的驅動電阻，加大到150R后 MOS的上升下降沿都有400nS---800nS，效果明顯，紋波可以下降。

4.最后就差磁珠沒用物料，沒有試驗。

請問各位大俠，如何看待此尖刺。 IC是 NE1102E   MOS 8N60  肖特基 30A60V的， 測試了DS波型和紋波對比，干擾同步，是在漏感峰值那個地方。

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各位大俠，問題有了進展。 NE1102E的介紹說是它的驅動能力很強，和二極管并接的電阻可以用到150R，我放的是100R，另外一個是4.7R，但是最主要的一個改動是我把MOS的GS的放電電阻由10K 1206 的改為了5.1K  1206的，這一個改動效果很明顯，紋波在低壓100V輸入的時候是70mV-80mV, 在高壓220V的時候是90mV-105mV，基本可以控制在100mV以內, 不知道大家對此調整做何看法？ 用5.1K電阻應該不會有什么問題吧？

如果什么都不改，NE1102E直接用OB2273換上去，紋波會減小30mV 的樣子，問題何在？ 但是我不用2273，備料用的是1102.