怎么沒人回復(fù)？

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可能大家習(xí)慣了用IC吧。

IC是檢測MOSFET上的壓降來做開通關(guān)斷的，好像只能用于電流斷續(xù)。

你現(xiàn)在貼出來的這種情況，我沒有具體分析這個電路，應(yīng)該是理論上講，T3有電流變化，同步整流MOSFET就導(dǎo)通。

之前有同事做不用IC的同步整流設(shè)計，不同的在在于他是在初級做驅(qū)動變壓器驅(qū)動后級的MOSFET同步整流，開始做的時候容易炸機，后來改了些電路就沒什么問題了。

    現(xiàn)在這種情況我已搭出來了，還是有一點點問題，有待解決！在此呢 ，也想請教下大家！希望大家都來探討探討！

發(fā)幾個波形圖來分析下，看看。

好的，等我測下，貼出來，大家一起討論！

黃色表示開關(guān)管波形，藍色表示的是同步整流管的驅(qū)動波形！請教這波形合適嗎？還有什么問題，現(xiàn)在是效率上不去啊！只有81.5%。輸出是5V、2A

試試不加同步整流的時候輸入功率是多少，加同步整流的時候輸入功率多少。

就可以知道同步整流的效果如何。

看了這個波形，振蕩比較大，MOSFET的驅(qū)動電壓比較低。

整機效率方面可以全面考慮，不一定是全靠同步整流來提高效率。

開關(guān)管的驅(qū)動電壓不低啊！20多伏呢。請教下，這個同步整流管的波形合適嗎？

不加同步整流時的效率為80%，其實我做這個試驗就是想試試同步整流在反激中到底能提高多少？請各為大俠，來探討探討！

各位大神速來啊

同步整流的意義在于消除二極管的正向?qū)▔航怠?

簡單的算損耗可以算二極管的U*I。

MOSFET的損耗為I*I*Rdson+線路損耗。

2個損耗差對應(yīng)輸入功率就是提高的效率，至于能提升多少點的效率還是要看這個二極管的損耗在整機里面的損耗比例。

您先給看下，上面那個波形合適不？反激工作在DCM模式。

波形可以了，看看有沒有必要調(diào)整下這幾個元器件的參數(shù)，短路的時候會不會沖擊電壓太高，沖壞這幾個原件。

哦，波形是對的把，反激式DCM的波形就是這樣的？那效率提高不上去，還有什么辦法？

有熱成像儀沒？看看哪個元器件熱，就改哪個元器件。

再有就是減小吸收，加速驅(qū)動什么的，變壓器對效率影響很大。

可以參考一些高效率的IC的demo板里面的相關(guān)元器件參數(shù)。

其實，反激不大適合用同步整流，因為，產(chǎn)生的諧波是非常大的，這個存在損耗的，所以不是那么劃算，就是輸出整流工作的高電壓導(dǎo)通，大電流關(guān)斷，這樣的損耗是比較大的，所以，在這里是不那么適合同步整流的，如果12伏電壓以下，尤其5伏，還是可以考慮的，但是，諧波非常大是一個大問題了，如果電壓功率高一些，還是準(zhǔn)諧振比較可以，不要什么同步控制芯片的，同步，應(yīng)當(dāng)是反激導(dǎo)通輸出工作截止，關(guān)斷的輸出工作導(dǎo)通了，這個控制也比較繁瑣了，最好不要反激電路把。

輸出才5V2A？搞個同步整流？

是CCM的嗎？還是DCM的？？

想著把效率給提上去，5V2A的，您給看看，波形合適嗎？你覺得是CCM，還是DCM?

準(zhǔn)諧振沒有弄過。大俠給我講一講，多謝！

看起來很是CCM的。。。建議還是用芯片的同步整流吧。。。