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boost升壓問題

右端的boost_pwm口輸出的是單片機控制的33khz，占空比2/3的pwm信號,高電平為3.3v，mos管是bs107a，輸入電壓是5v，實測升到了100v，mos管d級電壓如圖，為什么mos管的占空比會變這么低，怎么升到100v的

QQ截圖20151014190424

IMG_20151014_185530

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2015-10-15 09:36
已經被添加到社區(qū)經典圖庫嘍
http://m.daogou-taobao.cn/bbs/classic/
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2015-10-15 12:33
電感帶抽頭嗎？ 不然升不到這么高哦
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2015-10-15 14:38

你看反了，

MOS管導通時，其D極電壓為零。

就是，他的占空比很大，而不是很小

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UP徐
LV.3
5
2015-10-15 14:47
很明顯，驅動電壓過低，看了安森美的datasheet，bs107a的極限驅動電壓（1V-3V),考慮參數差異，以及分布電容的影響，有可能要高于3V，還要考慮你控制器出來的信號的驅動能力，也就是說考慮上升時間與下降時間。至于電壓為什么升到那么高，你可以參考boost輸出開路去考慮。
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dlcnight
LV.2
6
2015-10-15 15:21
@javike
電感帶抽頭嗎？不然升不到這么高哦
就是直插式的電感，沒抽頭，很好買的那種
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dlcnight
LV.2
7
2015-10-15 15:22
@edie87@163.com
你看反了，MOS管導通時，其D極電壓為零。就是，他的占空比很大，而不是很小

恩，是的，但是關鍵是我給的pwm信號占空比是2/3，為什么到mos管這就變成0.95左右了，這是為什么呢

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dlcnight
LV.2
8
2015-10-15 15:24
@UP徐
很明顯，驅動電壓過低，看了安森美的datasheet，bs107a的極限驅動電壓（1V-3V),考慮參數差異，以及分布電容的影響，有可能要高于3V，還要考慮你控制器出來的信號的驅動能力，也就是說考慮上升時間與下降時間。至于電壓為什么升到那么高，你可以參考boost輸出開路去考慮。
不是，我是想問為什么導通時間占總周期的0.95以上呢？我看了這個管子的datasheet，開啟時間和關斷時間大約都是在10ns左右的
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2015-10-15 15:35
@dlcnight
恩，是的，但是關鍵是我給的pwm信號占空比是2/3，為什么到mos管這就變成0.95左右了，這是為什么呢
拿兩個探頭，一個看單片機的輸出驅動信號，一個看MOS管G極的驅動信號
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dlcnight
LV.2
10
2015-10-15 15:39
@UP徐
很明顯，驅動電壓過低，看了安森美的datasheet，bs107a的極限驅動電壓（1V-3V),考慮參數差異，以及分布電容的影響，有可能要高于3V，還要考慮你控制器出來的信號的驅動能力，也就是說考慮上升時間與下降時間。至于電壓為什么升到那么高，你可以參考boost輸出開路去考慮。
我給的信號是3.3v的，實測是完全可以使mos管導通的
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dlcnight
LV.2
11
2015-10-15 16:11

這個是pwm信號（ch1）和mos管d級電壓信號（ch2）

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2015-10-15 16:25
@dlcnight
[圖片]這個是pwm信號（ch1）和mos管d級電壓信號（ch2）
你這是4通道的示波器，加多一路看mos管G極的波形，肯定是驅動哪里有問題
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dlcnight
LV.2
13
2015-10-15 16:41
@edie87@163.com
你這是4通道的示波器，加多一路看mos管G極的波形，肯定是驅動哪里有問題
pwm信號就是g級波形了
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dlcnight
LV.2
14
2015-10-15 16:42

d極波形

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2015-10-15 17:29
@dlcnight
[圖片]d極波形
把DS之間的測試用1V/格，占空比應該就差不多了。
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dlcnight
LV.2
16
2015-10-15 17:29
@dlcnight
pwm信號就是g級波形了
看樓下，我覺得是mos管的開斷時間比確實是2：1，主要是二極管的漏電流造成了反向電壓的形成，但是這個和boost升壓的原理不一樣，boost升壓的vo：vi=1/（1-d），d是占空比
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UP徐
LV.3
17
2015-10-15 17:55
@417zhouge
把DS之間的測試用1V/格，占空比應該就差不多了。
還要看一下電感電流是否連續(xù)，對不？
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UP徐
LV.3
18
2015-10-15 18:52
找到原因了，是由你后級電路引起的，相當于boost開路，開關管關斷后，再較短的時間內1uF電容充電完成，二極管關斷，在關斷過程中開關管D端的電壓降到0V，這個降低到0V是怎樣理解呢？為什么不是與輸入相等的5V？應該與二極管的恢復有關。明天面試，本人愚鈍，先到這里了
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dlcnight
LV.2
19
2015-10-15 19:32
@UP徐
找到原因了，是由你后級電路引起的，相當于boost開路，開關管關斷后，再較短的時間內1uF電容充電完成，二極管關斷，在關斷過程中開關管D端的電壓降到0V，這個降低到0V是怎樣理解呢？為什么不是與輸入相等的5V？應該與二極管的恢復有關。明天面試，本人愚鈍，先到這里了
是啊，我也是這么想的，電壓不等于5是因為二極管的漏電流造成的，關鍵是這個和boost升壓的原理對不上了，boost升壓的vo：vi=1/（1-d），d是占空比
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UP徐
LV.3
20
2015-10-15 19:39
@dlcnight
是啊，我也是這么想的，電壓不等于5是因為二極管的漏電流造成的，關鍵是這個和boost升壓的原理對不上了，boost升壓的vo：vi=1/（1-d），d是占空比
，電容具有隔直作用，你那個C40相當于把boost電路開路了，你得按照開路去想
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dlcnight
LV.2
21
2015-10-15 20:54
@UP徐
[圖片][圖片][圖片]，電容具有隔直作用，你那個C40相當于把boost電路開路了，你得按照開路去想
那也不該是100多v啊，能解釋下或有相關理論計算依據么
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恒流王
LV.5
22
2015-10-17 21:59
@dlcnight
那也不該是100多v啊，能解釋下或有相關理論計算依據么
鱉說100v ，放電時間短的話200v都能嘚瑟出來
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2015-10-18 21:43
@dlcnight
那也不該是100多v啊，能解釋下或有相關理論計算依據么
電感在有電流的情況下，在uS,nS級別的時間里面可以看成是理想的，當MOSFET關斷，電感的電流未變，但是電阻值從0變?yōu)镹大，歐姆定律即可得出電壓值。
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dlcnight
LV.2
24
2015-10-18 21:52
@恒流王
鱉說100v，放電時間短的話200v都能嘚瑟出來
什么意思？能詳細解釋下么？在mos管關斷的時間里，電感在很短的時間內就放點完畢了，怎么能通過相關計算得到升高到的電壓值？
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dlcnight
LV.2
25
2015-10-18 21:53
@417zhouge
電感在有電流的情況下，在uS,nS級別的時間里面可以看成是理想的，當MOSFET關斷，電感的電流未變，但是電阻值從0變?yōu)镹大，歐姆定律即可得出電壓值。
怎么得？N大？我后級沒接負載，能計算下么
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2015-10-18 22:10
@dlcnight
怎么得？N大？我后級沒接負載，能計算下么
你就假設電流1A,輸出電阻，100歐姆。或者電感的能量轉換成電容能量，1/2I2L=1/2CU2。驗證這個說法，加大電容就可以得出來。
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