最近開發5V/2A的充電器方案,選用的芯片為 AP3776BM,該芯片具有抖頻功能,容易過EMI,且有極低的待機功耗,MOS選用了我們常見的超級結MOS,主要是受體積及溫度的限制,選用了兩家MOS的供應商,為了滿足6級能效,先上效率的曲線分享給大家(效率是在USB的連接線端測試的噢)。
后來測試發現蘇州東微半導體GreenMOS OSG65R2KA效率竟然比Rds(on)低的4N70高,且為了通過EMI,將OSG65R2KA的驅動電阻增大了,有些疑問,通過規格書及實際波形看出,效率高是有道理的,先上開關波形:
由于該芯片工作在DCM模式,所以為了找出兩種MOS型號的差異性,觀察MOS關閉的波形,明顯看出OSG65R2KA這個型號的關閉時間小于4N70的(電流Id及Vds時間),這樣開關損耗就明顯的小了,相當于彌補了Rds(on)高引起的導通損耗,總體效率得以提高。
其它效率方面的提升,主要調試了啟動電阻,RCD吸收電路及變壓器方面的。
上面的圖可能有些人會有疑問,兩個型號的MOS是否EMI有問題啊,因為都是選用的超級結MOS。如下圖分享給大家:
測試結果顯示,EMI都有10dB以上裕量。鑒于OSG65R2KA效率高些,暫時選OSG65R2KA為Main Source。