圖1                                               

 

改進型H橋驅(qū)動，Ud>100V,這種母線電壓較高的電路，我首先想到了用ir2110，手冊上寫的是用來驅(qū)動一個橋壁，其原理即利用ir2110Vs端作為上mos管的參考零點懸浮電位，上管Hin=1時，通過電容C放電，使vg>Vs,上管導通，Lin=1時，下管導通，此時電容C通過電源，下管充電，然后循環(huán)。因為受電容充放電時間的影響，自舉電路的開關(guān)頻率不會太高，查閱相關(guān)資料一般最高30Khz。

現(xiàn)在我想將ir2110 用來驅(qū)動改進型半橋，圖1所示，即T1 用自舉驅(qū)動，T2用正常驅(qū)動，saber仿真可以，

然后我就按照saber仿真的搭建了實際電路，結(jié)果今天測試，高壓側(cè)mos管，不能驅(qū)動，分析了一下原因，但是自己不太確定，所以想說出來，讓各位看看對不對，

改進型半橋，ir2110無法形成對電容的充電回路，故因為在Mosfet關(guān)斷期間，電路通過兩個二極管形成電流回路，但是這個回路無法滿足電容C充電的回路下圖黑線部分，所以我理解的是  ir2110不能驅(qū)動改進型半橋。

 

那么問題來了，我看了一片博士論文，還有好幾篇碩士論文，都提到了用TLP250做自舉電路，來驅(qū)動，但是我看了TLP250的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，光耦加推挽電路，分析了一下開關(guān)驅(qū)動過程，感覺和ir2110是一樣的，同樣避不開充電回路問題，

總結(jié)一下：1 我實際搭的電路有問題，或者設(shè)計的自舉電容太小了（10uf），其實這種方法是可行的（明天試試）

                2 就是對充電回路的理解錯了，當mos管關(guān)斷時，二極管續(xù)流，此時可以形成對C的充電回路

          

        小弟基礎(chǔ)知識不太扎實，請各位看一下吧，其中可能有很多幼稚的問題，還請見諒，先謝過了