如題 碰到一個難題
客戶用內置MOS 2N60的 PSR的芯片 DIP-8的 EE19的做5V1.5A 在老化的時候1000個里面有17個 IC壞的 IC都是MOS擊穿或體二極管阻值不對 開路 在這1000個老化OK的 里面再拿200個老化 還是有7個IC不良的
測試其VDS在245V輸入輸出5V1.5A的時候有570V左右 懷疑MOS耐壓不足
沒有儀器 只能用高壓儀測試耐壓 其他PIN短路 高壓正接D 高壓負接S
電壓為DC 1KV 電流設定為1MA 時間5S 發現IC大部分都有640V左右的耐壓 一部分IC耐壓只有540V 比例有3%左右
如果把電流設定為500UA 測試的話都是在380V左右
這個怎么解釋
是MOS不良嗎 還是?
請大俠解釋一下
謝謝