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MOS管源極跟漏極并二極管的用途

     1. MOS管本身自帶有寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞mos管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。

     2.要考慮二極管的單向導通性，主要是其保護作用，G,S間的寄生電容較小，通常在幾pf到10幾pf左右。考慮到U=Q/C,故很容易在柵極上形成極高的ESD電壓，所以通常會在G-S之間加上TVS，防止G-S擊穿.        

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wuyh123
LV.6
2
2015-05-07 12:37
模式的寄生二極管確實比較重要，基本都會有，g，s之間加tvs導是比較少。不知一般加那種類型的。
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k_menlow
LV.5
3
2015-06-04 18:22
@wuyh123
模式的寄生二極管確實比較重要，基本都會有，g，s之間加tvs導是比較少。不知一般加那種類型的。
樓上分析的很有道理， MOS管本身自帶有寄生二極管不是TVS管吧，這個是相當于普通的二極管吧？
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2015-06-04 21:57
@k_menlow
樓上分析的很有道理， MOS管本身自帶有寄生二極管不是TVS管吧，這個是相當于普通的二極管吧？
這個二極管基本都存在，作用卻如樓主所說，gs之間加tvs，這個具體情況吧，一般很少加。
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k8882002
LV.9
5
2015-06-06 09:53
@wuyh123
模式的寄生二極管確實比較重要，基本都會有，g，s之間加tvs導是比較少。不知一般加那種類型的。
MOS管g，s之間加tvs管主要是什么用途，防止GS瞬間電壓過高？
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2015-07-08 13:15
@k8882002
MOS管g，s之間加tvs管主要是什么用途，防止GS瞬間電壓過高？
寄生二極管有它的好處，但也有壞處，開啟關斷有拉長電流。
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2015-07-08 15:35
這個二級管是個寄生二極管，就是說，MOSFET從娘胎出來，天生就帶這個東西，并非刻意所為。不過，實際應用中，該二極管有潛在的好處----續(xù)流！
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tom307
LV.4
8
2015-07-08 17:19
MOSFET很多自帶反向續(xù)流的二極管  可以防止MOSFET燒壞，畢竟雜散電容和寄生電感的影響不容忽視
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2015-07-08 20:50
樓上分析的很有道理， MOS管本身自帶有寄生二極管不是TVS管吧，這個是相當于普通的二極管吧？
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2015-07-09 19:09
@陌路絕途
樓上分析的很有道理， MOS管本身自帶有寄生二極管不是TVS管吧，這個是相當于普通的二極管吧？
MOSFET很多自帶反向續(xù)流的二極管  可以防止MOSFET燒壞，畢竟雜散電容和寄生電感的影響不容忽視
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2015-07-11 00:47
大家可以這樣來看 蕭特基二極管 的作用功率MOS管內部的寄生二極管是普通的二極管，其正向壓降與一般硅二極管相同，而蕭特基二極管的正向壓降則小得多。因此PD3與PQ14B內部二極管并聯，電流并沒有多少流過PQ14B內部二極管，絕大部分從PD3流過。壓降小，意味著電池電壓損失少，同樣的電池電壓負載上可以得到更高一點的電壓。因此 使用這樣一支蕭特基二極管可以減少一點電池損耗，或者說電池可以放電放得更深一些。
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fredsdu
LV.3
12
2015-07-15 10:00
MOS管自帶的反向二極管  在續(xù)流上有重要作用  寄生二極管可能會對性能造成影響
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2015-08-05 15:19
 MOS管本身自帶有寄生二極管不是TVS管吧，這個是相當于普通的二極管吧？
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2015-08-05 17:59
MOS管g，s之間加tvs管主要是什么用途，防止GS瞬間電壓過高？
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dakjncdc
LV.7
15
2015-08-06 13:35
這個二極管基本都存在，作用卻如樓主所說，gs之間加tvs，這個具體情況吧，一般很少加。
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冰山一
LV.5
16
2015-08-06 21:19
MOS管g，s之間加tvs管主要是什么用途，防止GS瞬間電壓過高？
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2015-08-07 01:09
@冰山一
MOS管g，s之間加tvs管主要是什么用途，防止GS瞬間電壓過高？
mos管g，s的之間的加tvs，很少見啊，gs之間也有在前級加TVS管，避免大電壓擊穿。
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2015-10-09 19:25
@得意的小女生
MOSFET很多自帶反向續(xù)流的二極管 可以防止MOSFET燒壞，畢竟雜散電容和寄生電感的影響不容忽視
MOSFET很多自帶反向續(xù)流的二極管  可以防止MOSFET燒壞，畢竟雜散電容和寄生電感的影響不容忽視
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2015-10-10 08:56
@tom307
MOSFET很多自帶反向續(xù)流的二極管 可以防止MOSFET燒壞，畢竟雜散電容和寄生電感的影響不容忽視
MOSFET很多自帶反向續(xù)流的二極管  可以防止MOSFET燒壞，畢竟雜散電容和寄生電感的影響不容忽視
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dakjncdc
LV.7
20
2015-10-10 09:25
這個二極管基本都存在，作用卻如樓主所說，gs之間加tvs，這個具體情況吧，一般很少加。
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2015-10-14 14:07
g，s之間加tvs導是比較少。不知一般加那種類型的。
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x1995418
LV.8
22
2016-03-06 19:57
@flowerhuanghua1
mos管g，s的之間的加tvs，很少見啊，gs之間也有在前級加TVS管，避免大電壓擊穿。
場效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的P型區(qū)域，用P+表示，形成兩個P+N結。
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2016-11-30 09:55
@wuyh123
模式的寄生二極管確實比較重要，基本都會有，g，s之間加tvs導是比較少。不知一般加那種類型的。
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