群里大部分都是做電源的，在電源中大量使用的有源功率器件，比如功率部分的MOSFET、FRD、IGBT、BJT等，
控制上有PWM IC，驅(qū)動IC、光耦等，在這些器件的使用、調(diào)試過程、甚至批量產(chǎn)品中難免都會遇到失效問題
而有源功率半導(dǎo)體器件的失效概率是最高的，而且其價格也是相對較高的
對于每一次失效最好都能找到失效原因，并做出相應(yīng)的改善預(yù)防措施
后邊將以實際遇到的幾個失效案例來跟大家分享一下，
資歷尚淺，不足之處歡迎大家討論
【我是工程師】電源中常見半導(dǎo)體器件的失效分析
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@小礦石
1、某感應(yīng)加熱電源中的IGBT失效分析IGBT型號：H20R12C3infineon的可逆導(dǎo)IGBT，將續(xù)流二極管與IGBT集成在一起了。在滿載使用過程中突然損壞[圖片]RC-IGBT芯片結(jié)構(gòu)如下，[圖片]未完，待續(xù)·······
普通IGBT與英飛凌可逆導(dǎo)IGBT的差別
普通IGBT由一個IGBT芯片+1個快回復(fù)二極管芯片組合而成。
而可逆導(dǎo)IGBT只有一個芯片
從散熱面積上將，可逆導(dǎo)IGBT的散熱比普通IGBT要差一些
開封后的普通IGBT與可逆導(dǎo)IGBT
普通IGBT（1200V 25A）
英飛凌可逆導(dǎo)IGBT(1200V 20A)
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干貨繼續(xù)唄
@小礦石
普通IGBT與英飛凌可逆導(dǎo)IGBT的差別普通IGBT由一個IGBT芯片+1個快回復(fù)二極管芯片組合而成。而可逆導(dǎo)IGBT只有一個芯片從散熱面積上將，可逆導(dǎo)IGBT的散熱比普通IGBT要差一些開封后的普通IGBT與可逆導(dǎo)IGBT普通IGBT（1200V25A）[圖片] 英飛凌可逆導(dǎo)IGBT(1200V20A)[圖片]
這個失效的原因分析：
1、由于IGBT芯片的升級，芯片面積減小很多，導(dǎo)致芯片的結(jié)殼熱阻增大，最終表現(xiàn)為結(jié)溫比正常IGBT高
2、驅(qū)動電壓不合理，設(shè)計驅(qū)動電壓15V，實際實測IGBT的驅(qū)動電壓僅13V，所以IGBT沒有完成導(dǎo)通，工作狀態(tài)不理想，實際損耗比設(shè)計損耗偏高
結(jié)合IGBT芯片的失效表現(xiàn)，這個IGBT是過熱損壞（芯片中心裂開）
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@小礦石
這個失效的原因分析：1、由于IGBT芯片的升級，芯片面積減小很多，導(dǎo)致芯片的結(jié)殼熱阻增大，最終表現(xiàn)為結(jié)溫比正常IGBT高2、驅(qū)動電壓不合理，設(shè)計驅(qū)動電壓15V，實際實測IGBT的驅(qū)動電壓僅13V，所以IGBT沒有完成導(dǎo)通，工作狀態(tài)不理想，實際損耗比設(shè)計損耗偏高結(jié)合IGBT芯片的失效表現(xiàn)，這個IGBT是過熱損壞（芯片中心裂開）
驅(qū)動電壓不夠確實危險，開始我也找不到原因，后來才發(fā)現(xiàn)是驅(qū)動電壓低導(dǎo)致。這個問題還是沒充分了解IGBT工作原理，IGBT還怕一個東西：di/dt,見它就燒…
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@fzhlpp
驅(qū)動電壓不夠確實危險，開始我也找不到原因，后來才發(fā)現(xiàn)是驅(qū)動電壓低導(dǎo)致。這個問題還是沒充分了解IGBT工作原理，IGBT還怕一個東西：di/dt,見它就燒…
是的，我們的好多計算都是依據(jù)規(guī)格書里邊的參數(shù)計算的，規(guī)格書里邊的測試條件都是基于驅(qū)動電壓15V時的數(shù)據(jù)
實際在驅(qū)動三極管、驅(qū)動光耦等器件上會產(chǎn)生一定的壓降，設(shè)計時要是沒有考慮到這些誤差
實際測試損耗就和計算損耗大偏差就比較大，甚至出現(xiàn)驅(qū)動不足
如果是消費(fèi)類產(chǎn)品，設(shè)計余量留的小，就更危險了
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