漫談MOS各個(gè)參數(shù)
上次發(fā)了個(gè)MOS的基礎(chǔ)篇，從今天起我也談?wù)凪OS的各個(gè)參數(shù)。慢慢更新，大家一起討論學(xué)習(xí)!
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@電源網(wǎng)-娜娜姐
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MOS選擇的前一個(gè)環(huán)節(jié)是根據(jù)項(xiàng)目的輸入?yún)?shù)確定拓?fù)淠Ｊ剑热绺綦x還是非隔離，正激還是反激或者LLC等。
根據(jù)選擇的拓?fù)淠Ｊ皆龠x擇合適的MOS，那么選擇MOS的第一個(gè)確定的就是耐壓(VDS),比如正激拓?fù)湟x擇至少高于兩倍的最高輸入電壓，反激則是根據(jù)最高輸入電壓及反射電壓來確定。
可見MOS的VDS是至關(guān)重要的一個(gè)參數(shù)點(diǎn)，選擇要合適不能太低也不能太高。太低容易造成擊穿，太高其它參數(shù)會變差，影響產(chǎn)品整體性能，比如效率。
MOS耐壓一般常用的有20V、30V、40V、60V、75V、80V、100V、150V、200V、250V、300V、400V、500V、600V、650V、800V、900V等再往上也有高壓的一般很少用，中間也有一些，比如70V、80V、85V等這里不一一介紹了。
VDS的溫度特性 隨著結(jié)溫的升高，VDS呈線性升高。溫度升高100℃，VDS大概是25℃時(shí)的1.1倍。當(dāng)然隨著溫度的降低，VDS也會下降。VDS溫度曲線如下圖
所以選擇MOS的時(shí)候要留有一定的余量，一般余量為10%～20%。再當(dāng)作開關(guān)用的穩(wěn)壓電路中可以適當(dāng)降低余量。
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@老梁頭
MOS選擇的前一個(gè)環(huán)節(jié)是根據(jù)項(xiàng)目的輸入?yún)?shù)確定拓?fù)淠Ｊ剑热绺綦x還是非隔離，正激還是反激或者LLC等。 根據(jù)選擇的拓?fù)淠Ｊ皆龠x擇合適的MOS，那么選擇MOS的第一個(gè)確定的就是耐壓(VDS),比如正激拓?fù)湟x擇至少高于兩倍的最高輸入電壓，反激則是根據(jù)最高輸入電壓及反射電壓來確定。 可見MOS的VDS是至關(guān)重要的一個(gè)參數(shù)點(diǎn)，選擇要合適不能太低也不能太高。太低容易造成擊穿，太高其它參數(shù)會變差，影響產(chǎn)品整體性能，比如效率。 MOS耐壓一般常用的有20V、30V、40V、60V、75V、80V、100V、150V、200V、250V、300V、400V、500V、600V、650V、800V、900V等再往上也有高壓的一般很少用，中間也有一些，比如70V、80V、85V等這里不一一介紹了。 VDS的溫度特性隨著結(jié)溫的升高，VDS呈線性升高。溫度升高100℃，VDS大概是25℃時(shí)的1.1倍。當(dāng)然隨著溫度的降低，VDS也會下降。VDS溫度曲線如下圖[圖片] 所以選擇MOS的時(shí)候要留有一定的余量，一般余量為10%～20%。再當(dāng)作開關(guān)用的穩(wěn)壓電路中可以適當(dāng)降低余量。
學(xué)習(xí)了，那么我們怎么知道他是正激括撲還是反激呢，怎么去看
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@老梁頭
這個(gè)根據(jù)輸入條件來確定合適的拓?fù)洌褪钱?dāng)開關(guān)用也應(yīng)該知道最高電壓，通過最高電壓來選擇合適的MOS
MOS耐壓確定了，就要根據(jù)功率來確定MOS的電流ID。
下邊來談?wù)凪OS的電流ID ID表示在溝道損耗容限內(nèi)，漏級連續(xù)流過的最大電流值。
一般在Datasheet中會給定兩個(gè)溫度點(diǎn)的ID值，分別為25℃和100℃。
以銳駿半導(dǎo)體的RU190N08Q為例，在Tc=25℃時(shí)為190A，在Tc=100℃時(shí)為140A。
這個(gè)都是以溫度為恒定值時(shí)的最大漏極電流值，屬于一種理想情況，在實(shí)際應(yīng)用中這個(gè)溫度條件是很難達(dá)到的。
下邊是電流隨溫度的變化曲線
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@老梁頭
MOS耐壓確定了，就要根據(jù)功率來確定MOS的電流ID。下邊來談?wù)凪OS的電流IDID表示在溝道損耗容限內(nèi)，漏級連續(xù)流過的最大電流值。一般在Datasheet中會給定兩個(gè)溫度點(diǎn)的ID值，分別為25℃和100℃。以銳駿半導(dǎo)體的RU190N08Q為例，在Tc=25℃時(shí)為190A，在Tc=100℃時(shí)為140A。這個(gè)都是以溫度為恒定值時(shí)的最大漏極電流值，屬于一種理想情況，在實(shí)際應(yīng)用中這個(gè)溫度條件是很難達(dá)到的。下邊是電流隨溫度的變化曲線[圖片]
第二個(gè)電流值是IDP（脈沖峰值），功率MOS都有很強(qiáng)的峰值通過能力，還以RU190N08Q為例，在Tc=25℃時(shí)，IDP為700A。MOS的連接管腳及內(nèi)部接線影響此值的大小。
其施加的脈沖寬度與散熱有關(guān)系，RU190N08Q為300uS脈沖漏極電流測試。
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