上帖說到銳駿半導體發(fā)布了專利產品,內絕緣MOS (TO-220S封裝) 我也申請了幾個樣品,準備坐下實驗。為了達到實驗的一致性,我同樣申請了這個型號MOS的普通封裝(TO-220AB封裝)形式。在這里先感謝銳駿半導體提供的MOS!
我申請的MOS型號為RU1H140R3和RU1H140R他們的基本參數相同
量了阻值了,下邊測試下絕緣性到底有多少
先拿要搖表試試絕緣電阻
在用高壓測試儀試試
先打DC
2000V的時候沒有問題
再試試AC
1500V的時候沒有問題
繼續(xù)往上增加,到2000V的時候擊穿了。
這樣的絕緣特性用到普通DC-DC電源是沒有問題的