中壓MOS工藝比較 

溝槽工藝：開關(guān)損耗大， 內(nèi)阻大  。代表：國(guó)內(nèi)廠家

植入工藝：開關(guān)損耗小， 內(nèi)阻小。  代表：Vishay

SGT工藝： 開關(guān)損耗更小，內(nèi)阻更小。代表：Infineon Hunteck 

 高壓MOS 工藝比較

平面工藝：開關(guān)損耗大，內(nèi)阻大。             代表：國(guó)內(nèi)廠家

cool mos 工藝：開關(guān)損耗小，內(nèi)阻小，價(jià)格高 。代表 infinion 

超結(jié)工藝：開關(guān)損耗小，內(nèi)阻小，價(jià)格低     。代表：hunteck 

中壓mos 晶圓尺寸比較

Huntest SGT                 100

Infineon OptiMOS3           102               

Infineon OptiMOS2           165 

IR                          193

AOS new SGT                 114  

AOS old SGT                 148

Magnachip                   142

MOS 抗沖擊電流，雪崩 EAS UIS 比較

Infineon 100

Hunteck  100

IR       80

Toshiba  75

AOS      75 and 33

電壓變化破壞試驗(yàn)

Hunteck 中壓100v SGT mos 設(shè)計(jì)有增強(qiáng)型寄生二極管 在60v 30A 500A/us 230度 沒有破壞

Hunteck 高壓mos 設(shè)計(jì)有長(zhǎng)壽命控制寄生二極管 降低逆向恢復(fù)電荷10個(gè)點(diǎn)。

平滑的開關(guān)性能

 平滑開關(guān)曲線保證好的EMI 性能，線路設(shè)計(jì)比較容易可靠。

開關(guān)速度可以在SGT和普通mos 之間控制，其他參數(shù)保持不變。

 大電流開關(guān)的好處

高溫大電流關(guān)斷是衡量mos好壞的關(guān)鍵點(diǎn)。

 MOS關(guān)斷前通過飽和區(qū)域發(fā)生在以下情景：馬達(dá)鎖死；輸出短路；上電瞬間。

關(guān)閉失效與熱失控 

實(shí)際上一個(gè)好的設(shè)計(jì)可以做到熱失控。MOS開始泄漏直到飽和失效。Hunteck熱失控可以高到250度不好的設(shè)計(jì)在熱失控前溫度低的時(shí)候就崩潰了。崩潰前并沒有泄漏，在關(guān)閉的時(shí)候就崩潰了。