常規的PFC+LLC電路設計正常效率在93%以下。 主要是因為電路上高壓硅MOSFET的損耗很大使效率很難提高，
雖然現在有cool-mosfet，但依然存在著不足，雖然Rds(on)很小了，但死區時間較大。開關周期中體內寄生的二極管
存有損耗。使得效率無法進一步提高。同時由于硅材料的物理特性，高壓MOSFET工作頻率很難再提高，正常超過150K HZ
MOSFET的損耗會成倍地加大。
新型MOSFET采用的是氮化鎵材質，在體內沒有寄生二極管。同時氮化鎵MOSFET的體內寄生參數相對COOL-MOSFET來說小很多
不管是結電容還是門極驅動電荷Qg,均不是一個級別的小。
主要的對比參數如下圖： 不同系列的COOL-MOSFET只能改變某一特性，某方面性能好了，其它方面可能變差一點。
但氮化鎵是很功大的。各方面均表現不錯。
氮化鎵是高頻器件，可以跑很高的開關頻率，200K--10M開關頻率。而硅材料能只150K以下/600V器件，硅MOSFET高頻后發熱很嚴重。
但氮化鎵MOSFET高頻后基本差不多，不會帶來熱的問題。
目前市場走小型化，高功率密度化，氮化鎵是必然的方向。
現在介紹的是采用氮化鎵的產品：
VIN:90--264Vac
Vou:12V 20A
EMI, PFC 均通過。
此板是是蘋果一體機電源的方案。請參看下面。 （第一圖是蘋果電源老板與新板對比，黑色是先前板子，采用的是COOL-MOSFET，
新板子采用的是氮化鎵MOSFET，無任何散熱片。）
因為黑色的為硅材料，600V的高壓COOL-MOSFET工作開關頻率只能100K以下。所以體積必然會在大，同時硅的損耗也會比氮化鎵大。使得其
效率最大在93%左右，
而更改成氮化鎵MOSFET后，可以提高工作頻率，同時氮化鎵本身沒有因為高頻帶來更多熱的問題。可以看到氮化鎵MOSFET無散熱片，可以想像其損耗很小。
200K LLC+PFC 250W 95.4%效率.pdf 詳細資料
氮化鎵的說明： 氮化鎵MOSFET介紹.pdf
無橋PFC+LLC可實現交流輸入，直流輸出達97%的效率
資料如附件：
有些朋友反應，附件下載不了，發現有些IE/瀏覽器不支持附件下載，如下載沒有成功請下載google chrome，它支持所有下載。
本人親測。請理解與支持。或你自己下載試下其它的IE瀏覽器。
或安裝 迅雷 的朋友，可以點連接右鍵下載。這樣更快
