反激電源設計經驗之談---原創貼，歡迎指正

(一): 頻率

     1．閱讀所用IC的PDF，最大限頻和最少限頻是多少，最大輸出功率的時候不能

          超過最大上限，否則電源工作在不穩定狀態，什么波形雜亂，什么波形不規則抖動這些可能跟這個有關系，特別是上限，而且要留一點量。

     2．頻率和MOS發熱量成正比，特別是工作在DCM和CCM模式的MOS，一般如果想要MOS發熱量少點，會把Vor設計得比較高如130-150V，這

          種情況最好用CRM模式，否則MOS的發熱讓你很難接受。DCM模式個人認為還是用在小功率50W以下。CCM模式則用在110V的電源比較

          好。

(

(二): 電感量與氣隙

    1．拋開計算公式，只談經驗，為什么電感量和氣隙一起說？因為90%做電源的人都拿不到磁芯的資料，在網上下載的資料要么按電感量來說，氣隙和跟實際計算不一樣，按氣隙則電感量不一樣。

    2．氣隙，跟電感量相輔相成，在同一個匝數來說，氣隙少，電感量大，磁芯容易飽和，這是不允許發生的。氣隙大，電感量少，則漏磁大，變壓器發熱嚴重，峰值電流大，MOS發熱嚴重，這會導致整個電路的效率變得很差。所以我們要折中了，匝數確定了，“在沒有飽和的情況下”，取0.4-1mm（我一般做120W以下的反激），這樣連變壓器電感量都不用算了，不過變壓器樣品回來了還要微調電感量，也就是說氣隙，讓電源工作效率更高更穩定。還得說明一下，磁芯磁路長度應該跟氣隙大小沒什么關系，因為磁路長的磁芯，一般為了繞平一層，初級圈數都較多，變壓器的磁通量就是△B小了，彌補了變壓器飽和的問題，所以一樣的EE19(同一截面積)，為什么加長版的功率可以做高點就是這個原因。

(三): 圈數

    1．圈數就是匝數，這里有初級匝數、次級匝數、輔助匝數和匝比這幾個詞，這里我只說初級匝數，因為知道初級匝數和確定了Vor，其它的匝數全部可以算出來。確定VOR就確定了最大占空比.

    2．初級匝數計算。。。很遺憾！不能告訴你，公式我忘了。按頻率和電感量的經驗來說EE13（120-160T）、EE16（120-140T）、EFD20（80-120T）、EFD25（70-100T）、PQ2620（26-36T）、PQ3220（24-32T）。

    3．在同一磁芯，同一氣隙大小的情況下：匝數多，△B小，功率可以做大點。相反匝數少，△B大，功率做得比較少，磁芯容易飽和。(“在沒有飽和的情況下”)

(四): 繞法與線徑

           1．不談EMC，只對穩定性而談。按照繞法可以分為常用的以下三種:

              順繞：初級--次級--輔助  順繞漏感大，VOR的尖峰高，耦合不好。適合7W以下。

              夾層：分三種1:(初級--次級--初級--輔助) 、2:(次級--初級--次級--輔助)次級并聯、         

              3:(次級--初級--次級--輔助)次級串聯。夾層繞法相對順繞來說其它都很好，就是匝

              間電容比較大，傳導會差一點。其中2適合次級低電壓大電流輸出，3則相反。

           2．線徑的選取，會與骨架的線槽寬度有關系，良好的變壓器設計應該每組線都剛好滿  

              一層，這樣的繞法變壓器漏可以做到2-5%，但漏感還跟變壓器的匝比有關系，低

        出低電壓大電流的漏感都會偏大。匝數少，同一功率下線徑可以小點沒關系，如

        80W的電源初級用0.25*2--24T，一點問題都沒。

  (五): 變壓器飽和：電感量，氣隙，圈數截中選取，這點就不用談了。

                                                          吳工    QQ:625900708