比SIC碳化硅MOSFET和JFET更先進的器件超結晶體管 (SJT) 

1、MOSFET 反向恢復值很大(Reverse Diode Characteristics)，所以一般會建議添加diode。

2、JFET 是一個“常開”性器件，控制方式非常復雜。

3、SJT 是一個“常關”性器件，是替代IGBT下一代技術，更高的開關頻率(200KHZ)，更低的開關與導通損耗，驅動損耗最低（5V），更小的電容、電感與散熱器，降低無源器件成本（20%-30%）。

SJT的特性/好處

超高電流增益 BJT

常關型，準多數載流子器件技術

工作溫度范圍到 250℃

Vf 的正溫度系數，易于并聯使用

溫度獨立的超快開關瞬態

應用

航天和國防

井下石油鉆井, 地熱測試設備

混合電動車輛

太陽能逆變器

開關電源

功率因數校正

UPS 和電機驅動

 

?         SiC SJTs

?       導通電阻 250 mΩ

?       額定電壓 1200 V

?       業內標準封裝

?       RoHS 認證